P2
设计的直接书写模式，它与更常见的 P1、P2 或 P3 模式不同。所谓的 P1、P2 和 P3 划线对应于构建单片互连的过程的三个划线步骤，这些连接在模块中的单元之间增加电压。P1 和 P3
步骤
旨在隔离相邻单元的背接触层，P2 步骤在单元的背接触层与相邻单元的正面接触之间创建电路径。尤其是 P3
台阶，由于残留在沟槽中，通常会导致不良影响，例如背接触分层、剥落或电气隔离不良。据研究人员称
是因为窄带隙有机亚电池中的近红外光电流不足。基于此，新加披国立大学侯毅等人设计并合成了一种不对称非富勒烯受体(NFA)，P2EH-1V，P2
EH-1V具有单边共轭π桥，在保持理想激子解离和纳米形貌的
同时，将光学带隙降低到1.27 eV。瞬态吸收光谱证实了从P2 EH-1V到施主PM
6的有效空穴转移。基于P2 EH-1V的器件显示出0.20
eV的降低的非辐射电压损耗，而不影响电荷产生
模块激光刻划P1/P2/P3线(532 nm，1000 kHz，15 W，15 ps)刻划线宽分别为21/74/42 mm有效面积10.04 cm²
：效率下降：从0.06cm²电池的25.1%效率降至900cm²模块的16.4%效率，主要由于：薄膜不均匀性欧姆损耗死区损耗薄层电阻损耗制造工艺：激光刻划(P1、P2、P3)在柔性基底上更复杂，需精确
优化P1与P3刻划线用于隔离相邻子电池电极，而P2刻划线实现电极互连。P2刻划宽度的精确控制至关重要：过宽会降低几何填充因子，过窄则因层间去除不彻底、TCO损伤、碎屑再分布或金属-卤素相互作用而导致
电阻损耗增加(图3c)。在P2刻划后沉积~10
nm的ALD-SnOx共形扩散阻挡层，可有效阻隔Ag电极与碘离子的相互扩散，同时在ITO/ALD-SnO2/Ag结处形成低垂直电阻的欧姆接触，并提
P1、P2和P3互连，将面积为641.4 cm 2的组件串联起来。采用1064
nm激光刻蚀三道划片，GFF为97.88%。P1工艺完成后，清洗衬底，磁控溅射沉积NiOx层。通过对P1工艺的分析
，确定了P2工艺的最佳工艺条件。2. SAM层通过以15 mm/s的涂布速度在ITO/NiOx基底上狭缝式涂布0.5 mg/mL SAM来形成，在室温下，衬底砂模头之间的距离为~60
µm，并在100
PNDIT-F3N(含有不同比例的PIL-PDES);3. P2刻蚀(600 mm/s，100 kHz，10 us);4. 沉积75 nm Ag;P3(300 mm/s，100 kHz，10 us)和P4
最佳厚度的Tpy，100℃退火5min。5. PCBM(2 mg/mL DCB)刮涂;蒸镀20 nm C60;6. P2以6W的功率、100ns的脉冲宽度和70kHz的重复率进行激光刻划，得到150
两部分环氧密封剂密封的覆盖玻璃封装PSC。太阳能电池的有效面积为8.0 mm 2。模组：对于钙钛矿微型模组，P2和P3划线的激光功率为~ 0.375W。基于Poly-2PACz的冠军模块具有六个
转折点。d. 内部测量的i:a-Si:H, n:a-Si:H,
p:a-Si:H, SiNx(n=2.5)和ITO层的吸收系数，以及c-Si的参考。e. 在P2和P3期间，随着SiNx厚度的变化，模拟
i层温度。f.
P2激光通量后堆叠层内的温度分布。g. P3激光通量后堆叠层内的温度分布。图4. 太瓦级可持续性分析。a. PV年产量和关键材料年供应量。b. 不同ITO厚度的HBC太阳能电池
