IGBT芯片

举办第三节光伏逆变器关键元器件技术与应用研讨会。届时，Infineon工业功率器件产品经理陈子颖将为参会工程师带来主题为《IGBT芯片技术与能源效率》的演讲。他的演讲将分为IGBT芯片技术及其发展

IGBT，只需要3片芯片即可驱动，通过dsp2812控制实现软开关和逆变的功能，同时只需要提供3.3 V，12 V的基准电压即可工作，在工程上大大减少了控制变压器体积和电源数目，降低了产品成本，提高了系统可靠性。

元，将其原有的4英寸IGBT芯片生产线升级为6英寸芯片生产线，新开发多个1700伏以上高等级IGBT模块，大大拓宽了原有的产品线。同时，在南车时代电气的支持下，一个全新的功率半导体研发中心投入使用，这个

高原、荒漠等地区存在一些适应性问题。首先，在高原地区，一方面，因为空气稀薄的缘故容易使逆变器工作温度超限；另一方面，由于早晚、四季温差大将导致IGBT芯片、IGBT散热基板以及中间连结的材料等不断遭受

了我国首条具有完全自主工艺能力的IGBT产品封装线，产品陆续投放轨道交通、高压输配电、新能源等多个领域。与此同时，公司加快在IGBT技术体系中最为关键的芯片技术的研制。2010年，在英国成立功率半导体

企业,随着半导体芯片向大直径方向发展,未来产品的推广有望成为公司新的利润增长点。公司半导体器件由于折旧成本较高,盈利能力较差,公司大功率IGBT 产品已小批量生产,国内大部分市场被欧美日企业占据,未来
为0.28、0.63。 8寸区熔单晶和IGBT功率器件是半导体业务看点。公司区熔单晶的行业龙头地位稳固,市占率超70%,盈利能力稳定,公司已成为国内唯一一家(全球第二家)实现8英寸区熔单晶量产的

禁带半导体器件及电源管理芯片方向，只有两三家高校和研究机构还在进行IGBT器件相关的研发，并且主要限于计算机仿真研究，这就导致了我国在IGBT设计和研发方面的人才奇缺。 破茧成长 因为国内

/kWh，2014年和2015年电站实现净利润大约为3.61亿、11.56亿元，贡献EPS为0.28、0.63。 8寸区熔单晶和IGBT功率器件是半导体业务看点。公司区熔单晶的行业龙头地位稳固
，市占率超70%，盈利能力稳定，公司已成为国内唯一一家（全球第二家）实现8英寸区熔单晶量产的企业，随着半导体芯片向大直径方向发展，未来产品的推广有望成为公司新的利润增长点。公司半导体器件由于折旧成本较高