IGBT芯片

0.5元/kWh，2014年和2015年电站实现净利润大约为3.61亿、11.56亿元，贡献EPS为0.28、0.63。8寸区熔单晶和IGBT功率器件是半导体业务看点。公司区熔单晶的行业龙头地位稳固
，市占率超70%，盈利能力稳定，公司已成为国内唯一一家（全球第二家）实现8英寸区熔单晶量产的企业，随着半导体芯片向大直径方向发展，未来产品的推广有望成为公司新的利润增长点。公司半导体器件由于折旧成本较高

已成为国内唯一一家(全球第二家)实现8英寸区熔单晶量产的企业,随着半导体芯片向大直径方向发展,未来产品的推广有望成为公司新的利润增长点。公司半导体器件由于折旧成本较高,盈利能力较差,公司大功率IGBT产品
年电站实现净利润大约为3.61亿、11.56亿元,贡献EPS为0.28、0.63。8寸区熔单晶和IGBT功率器件是半导体业务看点。公司区熔单晶的行业龙头地位稳固,市占率超70%,盈利能力稳定,公司

。 众所周知，目前市场上采用的功率模块的IGBT芯片大多采用硅材料制造，但是业界对硅（Si）材料的性能利用已接近极限。与Si相比，SiC的禁带宽度是Si的3倍，临界击穿电场强度是Si的10倍，电子饱和速率是

电脑芯片一样进步很快，但越往后则进步越有限。因此，光伏逆变器的更新换代，不可能像家电那么快。我认为，未来逆变器成本下降的方向，应该是从电路集成、系统集成以及IGBT功率模块等方面入手，比如向专用IC的

一定程度的成本降低，但如果想要通过革命性的创新来降低成本，则没那么容易。逆变器技术的发展，依赖于功率元件技术的进步，依赖于电路拓扑的创新，依赖于控制算法的优化和创新。在早期，这些东西跟电脑芯片一样进步
很快，但越往后则进步越有限。因此，光伏逆变器的更新换代，不可能像家电那么快。我认为，未来逆变器成本下降的方向，应该是从电路集成、系统集成以及IGBT功率模块等方面入手，比如向专用IC的方向发展。短期来看

建设阶段。项目拟建设一条年产12万片的8英寸IGBT芯片产业化生产线，以及其配套的高标准净化芯片制造及封装、测试厂房及其附属设施，建成后将可实现生产600V-6500VIGBT/FRD芯片，并配套形成

入实体建设阶段。项目拟建设一条年产12万片的8英寸IGBT芯片产业化生产线，以及其配套的高标准净化芯片制造及封装、测试厂房及其附属设施，建成后将可实现生产600V-6500V IGBT/FRD芯片，并

属有机化合物（MO源）、大尺寸衬底及外延、大功率芯片与器件、LED背光及智能化控制等关键设备、核心材料和共性关键技术，示范应用半导体通用照明产品，加快推广低汞型高效照明产品。节能汽车。加快研发和示范
（IGBT）以及特大功率高压变频调速技术。稀土永磁无铁芯电机技术用于风机、水泵、压缩机等领域，可提高电机系统能效30%以上，大幅度节约硅钢片、铜材等。重点是中小功率电机产业化。蓄热式高温空气燃烧技术用于

间接通过捕捉运行期间IGBT的电子参数数据来判断芯片温度，另外一个流程则监控老化引起的参数变化。捕获的数据由远程诊断系统软件进行处理，对IGBT的剩余寿命进行预测。此预测功能对于整个行业来说非常重要

来得非常不易。 　　早在光伏行业景气的2010年5月，中环股份就曾披露定增预案，拟以不低于11.75元/股的价格定向发行不超过9000万股股份，募资约11亿元用于投资IGBT及光电子器件用区熔
了单晶硅硅棒电子级半导体单晶硅片半导体芯片器件和单晶硅硅棒太阳能级单晶硅片的双产业链模式。 　　对于此次定增对公司经营方面的影响，中环股份董秘办人士表示，将推动公司产能的充分释放和下游客户的开拓