IGBT芯片
缩小到直径5厘米，表面肯定会非常烫。光伏逆变器的核心，就是半导体开关（IGBT），它是整个逆变过程的核心器件，靠高速的开合电路把交流电和直流电互相转换。 因为是高速运动，所以有大量的热量产生，如果空间
公司和PRIMES公司等，TM4主要负责逆变器和晶体管门传动器的设计，PRIMES主要提供功率芯片的集成设计，而美尔森负责其中的散热组件。挑战的结果将会在2016年1月公布。让我们拭目以待！
索比光伏网讯:中国电力电子产业网讯 近日，第十届中国电子信息技术年会在北京举行。由南车时代电气完成的《高压高功率密度IGBT芯片和模块研究开发及其应用》项目被授中国电子学会科技进步类一等奖荣誉
。《高压高功率密度IGBT芯片和模块研究开发及其应用》是对高功率密度IGBT的关键技术进行攻关研究，在芯片设计、仿真优化、工艺整合、模块设计、封装测试、考核验证、批量应用等方面取得突破，形成了一整套自主开发
索比光伏网讯:建议国家高度重视IGBT产业发展，支持国内优势企业开展以IGBT为代表的功率芯片及其器件的研究开发与产业化。全国人大代表、湖南省经济和信息化委员会主任谢超英在接受《中国电子报》记者专访
Vincotech FlowISE仿真工具，这样可以更快的对不同电流，不同频率的工况做出对比分析。这些对比分析会采用以下几款型号来代表不同的芯片组合： -IGBT + Si 二极管 o flowBOOST 0
从国内逆变器市场退出，逆变器的技术也向UPS靠拢。国产的元器件占领了市场。近年来逆变器行业几次大的降成本措施：1、功率器件IGBT降价：2012年前500KW的逆变器大部分是英飞凌公司的
FF1200R12IP4，近年来英飞凌公司推出了工业级的FF600R12ME4，成本一下降了50%，加上富士，三菱也推出了替代英飞凌的器件，价格也比它便宜。经过两年多时间的运行，工业级的IGBT表现还算可以
逐渐从国内逆变器市场退出，逆变器的技术也向UPS靠拢。国产的元器件占领了市场。
近年来逆变器行业几次大的降成本措施：
1、功率器件IGBT降价：2012年前500KW的逆变器大部分是英飞凌
公司的FF1200R12IP4，近年来英飞凌公司推出了工业级的FF600R12ME4，成本一下降了50%，加上富士，三菱也推出了替代英飞凌的器件，价格也比它便宜。经过两年多时间的运行，工业级的IGBT
中环股份是国内历史最悠久、综合技术实力最雄厚、产品种类最丰富的单晶硅材料制造企业,实际控制人为天津市国资委。依托单晶硅材料领域的技术优势,公司形成了独特的单晶硅硅棒-电子级半导体单晶硅片-半导体芯片
第一全球第三,将冲击全球第二。目前公司8寸区熔晶硅技术全球领先,公司将继续开发下游客户。同时公司也积极开发下游产品,IGBT等产品已跻身行业前列。
我们预计公司2014年-2016年EPS分别为
半导体芯片器件和单晶硅硅棒太阳能级单晶硅片双产业链商业模式。?明后年光伏制造端最看好高效单晶，同时国内电站仍是行业热点，度电成本更为重要，有别于传统铸锭多晶硅、直拉单晶硅，中环股份采用了新的CFZ
，将冲击全球第二。目前公司8寸区熔晶硅技术全球领先，公司将继续开发下游客户。同时公司也积极开发下游产品，IGBT等产品已跻身行业前列。我们预计公司2014年-2016年EPS分别为0.15、0.37和
SCALE系列IGBT驱动器，采用独创的SCALE专用集成电路芯片组，为全球驱动器市场树立了权威的行业标准。这种驱动板最大的特点是采用磁隔离技术和光纤传输方案，通常的隔离方式有光隔离和磁隔离，光耦隔离方式
仍要求产品拥有高性能表现的工业应用场合，不过价格特别昂贵，一个1000V1200A2级的接触器，价格是1.8万左右。它最关键的性能是能够IGBT，母线电容等器件出现短路等紧急情况下，在大电流时断开
。CT-Concept推出了一系列精湛的IGBT驱动器，技术高端、功能卓越、质量上乘、性价比理想，满足客户最细致严苛的要求。尤其是SCALE系列IGBT驱动器，采用独创的SCALE 专用集成电路芯片组，为全球
