IGBT芯片

局面。作为我国最早开发大功率高压IGBT器件技术及产业化的企业，南车株洲所旗下南车时代电气于2008年通过资本运作与技术创新，研制成功IGBT芯片技术，实现了IGBT芯片技术的自主掌握，并于去年起开始进行试生产。截至目前，该公司高压IGBT产品已累计批量销售达10万只。

采用了新的紧凑式芯片设计，将PN结设计融合到肖特基二极管单元场中。这种设计降低了芯片区的微分电阻。因此，二极管损耗比之上一代产品降低了多达30%，譬如在20 kHz频率上以满负荷工作的三相太阳能逆变器
时实现可靠运行。这样便无需使用旁路二极管，从而降低了复杂度，减少了系统成本。 英飞凌IGBT和碳化硅分立功率器件营销总监Roland Stele表示：英飞凌致力于提供有助于客户最大限度提高其设计

,2014年和2015年电站实现净利润大约为3.61亿、11.56亿元,贡献EPS为0.28、0.63。8寸区熔单晶和IGBT功率器件是半导体业务看点。公司区熔单晶的行业龙头地位稳固,市占率超70
%,盈利能力稳定,公司已成为国内唯一一家(全球第二家)实现8英寸区熔单晶量产的企业,随着半导体芯片向大直径方向发展,未来产品的推广有望成为公司新的利润增长点。公司半导体器件由于折旧成本较高,盈利能力较差

系列UPS，该系列产品是采用先进的DSP控制器、高速16位的数字芯片、DDC控制技术，配合使用先进的大功率器件IGBT及SCR，在稳定、先进、高效的数字/模拟混合技术基础上，设计出的集数字化、信息化
UPS供应产品。易事特相关技术人员介绍说，EA860系列UPS是中小功率三进单出系列UPS电源，其是高速16位数字芯片、ASIC的DDC控制技术、先进的大功率器件IGBT及SCR的完美组合，可提供双机

列产品是采用先进的DSP控制器、高速16位的数字芯片、DDC控制技术，配合使用先进的大功率器件IGBT及SCR，在稳定、先进、高效的数字/模拟混合技术基础上，设计出的集数字化、信息化、网络化为一体的大容量
。易事特相关技术人员介绍说，EA860系列UPS是中小功率三进单出系列UPS电源，其是高速16位数字芯片、ASIC的DDC控制技术、先进的大功率器件IGBT及SCR的完美组合，可提供双机串联式并列运行

全面掌握IGBT从芯片设计模块封装组件应用全套技术的企业，也是唯一建立了1200伏及以上高等级功率IGBT技术及模块技术完善的产品体系的企业。这，不仅得益于企业50年大功率半导体器件研制的历史积淀，更

，本设计采用TI公司的TMS320F240作为主控芯片，用于采集电网同步信号、交流输入电压信号、调节IGBT门极驱动电路脉冲频率，通过基于DSP芯片的软件锁相环控制技术，完成对并网电流的频率、相位控制

半导体硅片技术和封装技术的公司，积极发展碳化硅新材料的应用。目前市场上采用的功率模块的IGBT芯片大多采用硅材料制造，但是硅材料的性能利用已接近极限。与硅相比，碳化硅的禁带宽度是硅的3倍，临界击穿电场
针对可再生能源领域，展出多款产品，满足正在发展的太阳能市场需求。 　　　 　　　在众多展品中，全新的第7代IGBT模块特别瞩目，适合应用于太阳能发电。它采用了第7代IGBT硅片和二极管硅片；具有650V

更重要的是)能够使用更小、更便宜的元件，从而在系统级别上显著降低成本。在过去 30 多年中，诸如 MOSFET 和 IGBT 之类的 CMOS 替代产品在大多数电源设计中逐渐取代基于硅的 BJT，但是
成本节约。 虽然相较于基于纯硅，基于碳化硅的 BJT 更昂贵，但 SiC 工艺的高功率密度将会转换为更高的芯片利用率，并且支持使用更小的散热器和更小的过滤器元件。从长远来看，使用更昂贵的碳化硅 BJT

推进速度，预计度电成本有望低于0.5元/kWh，2014年和2015年电站实现净利润大约为3.61亿、11.56亿元，贡献EPS为0.28、0.63。8寸区熔单晶和IGBT功率器件是半导体业务看点。公司
区熔单晶的行业龙头地位稳固，市占率超70%，盈利能力稳定，公司已成为国内唯一一家(全球第二家)实现8英寸区熔单晶量产的企业，随着半导体芯片向大直径方向发展，未来产品的推广有望成为公司新的利润增长