IGBT芯片
组件，电感的端子与PCBA下层进行电气连接如图一模型
图一
二、拓扑：
拓扑设计可参考HERIC(高效率和可靠逆变器概念)如图二，这样的拓扑结构在交流侧增加了一个采用两个背靠背IGBT器件
光伏行业的发展，针对上述HERIC拓扑，可以在专利方面做些规避。比如可以在图二的S1管或S3管与BUS+串入一个处于常通状态的IGBT，综合看比H6的成本更低，从研发经验看layout走线较为顺利，可
曾荻先生发表主题演讲 近年来，TMEIC中国推出了各种电压等级和容量的高压变频器系列产品。产品采用了最新IGBT/IEGT/IGCT器件，效率更高
MPPT技术是可以提升发电量的关键因素之一；目前市场上的单相逆变器基本只做到了最大2路MPPT。采用最新第五代德国英飞凌IGBT芯片技术，目前市面上常规采用第三代，第五代比前一代IGBT提升
0.5-0.8%效率。全新美国TI2806系列DSP芯片技术，CPU处理速度和PWM分辨率比市面上普遍采用的2803系列增加50%。逆变器开关频率突破30kHZ，而普通逆变器的开关频率都在20kHZ或者以下，这不
国内市场上应用较多的用于绞车的国产单元串联多电平变频器的功率单元多是两电平H桥逆变结构，采用有速度传感器的矢量控制或者采用改良V/f控制的方式，国内采用V/f控制占主流，功率单元采用IGBT的AFE的
，在电能大量从电机灌回变频器时，经常因为AFE前端来不及将大量的能量回馈到电网而导致功率单元直流母线电压升高，造成铝电解电容过压损坏。受到电解电容耐温和IGBT过热保护的影响，一般单元过温保护阀值为
芯片上，我们已经做了，比如我们的电动汽车变流部分就是一个芯片，叫IGBT，这是我们国家特别关注，非常重视的项目，我们现在是全球少有的几个自己能做这个芯片的企业。有些东西我们还是比别人领先的，为什么
阶段(R5)产品发布上市和维护-EOL产品生命周期结束几个流程，而其中成本的核心在于器件成本，这其中机构料(散热器为主)和电子料(磁性器件为主)的成本占比为1：2，而电子料中，IGBT芯片等核心器件
之间，还应当设置共模滤波器，防止对太阳能电池的电磁干扰。2.电力电子器件用于太阳能光伏发电系统逆变器（含输入直流斩波级）的功率半导体器件主要有MOSFET、IGBT、超结MOSFET。其中MOSFET
速度最快，但成本也最高。与此相对的IGBT则开关速度较慢，但具有较高的电流密度，从而价格便宜并适用于大电流的应用场合。超结MOSFET介于两者之间，是一种性能价格折中的产品，在实际设计中被广为应用
。
1、集中型逆变器
集中逆变技术是若干个并行的光伏组串被连到同一台集中逆变器的直流输入端，一般功率大的使用三相的IGBT功率模块，功率较小的使用场效应晶体管，同时使用DSP转换控制器来改善所产出电能的
太阳电池组件输出变小，逆变器输出接近0时，逆变器便形成待机状态。
(2)最大功率跟踪控制功能
太阳电池组件的输出是随太阳辐射强度和太阳电池组件自身温度(芯片温度)而变化的。另外由于太阳电池组件具有
三个模块构成。其工作原理为由外部CT检测系统的电流信号，上传控制系统后由控制芯片分析出当前运行状态；经过计算后由控制器下达补偿的控制指令，触发电力电子变频设备发出无功功率进行补偿。SVG静止无功发生器
采用IGBT（可控硅）组成自换相桥式电路，与电抗器组合联接后，并联在电网上，通过调节桥式电路交流侧输出电压的幅值和相位，或者直接控制其交流侧电流，达到迅速吸收或者发出所需的无功功率的目的，实现快速动态
运算及补偿输出三个模块构成。其工作原理为由外部CT检测系统的电流信号，上传控制系统后由控制芯片分析出当前运行状态；经过计算后由控制器下达补偿的控制指令，触发电力电子变频设备发出无功功率进行补偿
。
SVG静止无功发生器采用IGBT（可控硅）组成自换相桥式电路，与电抗器组合联接后，并联在电网上，通过调节桥式电路交流侧输出电压的幅值和相位，或者直接控制其交流侧电流，达到迅速吸收或者发出所需的无功功率的
