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Centrotherm
了项目合作伙伴Centrotherm和瓦克化学的贡献。 Centrotherm在低压化学气相沉积反应器中沉淀了多晶硅层，瓦克化学贡献了硅片的高温加工知识。 ISFH的研究获得了德国联邦经济和能源部
(n++ - n+)高低结，和传统结构相比，还可提高开路电压。 一次扩散SE电池制备方案 氧化层淹膜扩散印刷法 此为Centrotherm的turnkey line制备方案。 该方案要点是
，由于存在一个横向的(n++ - n+)高低结，和传统结构相比，还可提高开路电压。 一次扩散SE电池制备方案 1、氧化层淹膜扩散印刷法 此为Centrotherm的turnkey line
(schmid，centrotherm)
特点：要求掩膜的印刷特性要好，抗氢氟酸要好，容易清除。工艺步骤简单。困难在，扩散均匀，印刷对齐。schmid 的腐蚀法SE 电池交钥匙工程
，centrotherm 的激光刻蚀氧化膜SE电池交钥匙工程。
四、湿法腐蚀重扩散层/等离子体刻蚀重扩
特点：湿法可用氢氟酸和硝酸体系或强碱，将暴露的重扩散层腐蚀成浅扩散层。要求耐腐蚀浆料。干法等离子体，用四
间接等离子：等离子没有直接和硅片接触，基片不接触激发电极( Roth&Rau)
直接等离子：等离子直接接触硅片，基片位于一个电极上，直接接触等离子体( Centrotherm 、岛津
;
解决：对于弯曲片，因Centrotherm工艺原理所限，没有办法，所以弯曲片只能在平板机器上做;
5.石墨舟掉片子，如下图所示：
原因：员工上料不牢，在机内碎片;
解决：掉了一片，就导致
多晶硅片，电阻率为1～3cm，厚度为(20020)m，硅片尺寸为156mm156mm。氮化硅薄膜制备设备采用德国Centrotherm公司生产的管式低频PECVD设备，利用SE400advPV型椭偏仪测试
多晶硅片，电阻率为1～3cm，厚度为(20020)m，硅片尺寸为156mm156mm。氮化硅薄膜制备设备采用德国Centrotherm公司生产的管式低频PECVD设备，利用SE400advPV型椭偏仪测试
的客户，当被问询在中国的发展状况时，德国Centrotherm公司CEO认为，在太阳能产业在经过前期的发展之后，现在正进入暴风雨的阶段，整合、并购将大量产生，有野心的公司将赢得市场。
的因素。钝化量产设备分为两派：一派以德国Centrotherm为代表，采用PECVD生长的氧化硅/氮化硅叠层膜作为背面钝化膜，另一派以德国R&R公司为代表生产的氧化铝镀膜设备，并且开发出二合一的氧化铝
6.4eV，折射率1.65左右，可以提供较好的背面光学反射功能。
氧化铝的厚度根据沉积方式的不同，厚度也不一样，一般分为PECVD模式(主要厂家是Meyer Burger，Centrotherm和
硅片、控制硅片内的氧含量;其二是对电池片通过在一定温度下进行光、电注入，使B-O对中性化不会吸附产生的少数载流子，从而减少光衰，设备厂家有Centrotherm、科隆威、Schmid、时创等。
随着
