CVD

电池技术。 （1）CVD多晶硅薄膜电池 各种cvD（PECVD，RTCVD，cat一CVD，Hot一wire CVD等）技术被用来生长多晶硅薄膜，在实验室内有些技术获得了重要的结果。例如日本

薄膜上，而此金屬成分是降低結晶化所需要的活化能，使其能在較低溫結晶的重要關鍵。 Cat-CVD: 一種無須經由退火處理、而可直接沉積多晶薄膜(poly-film)的方法。沈積溫度可低於300

畦网络结构更稳定。本征8si呈弱N型，掺入痕量硼可将费来能级移向带隙中央，既可提高光灵敏度又可减少先致衰退。 6．新制备技术探索 射频等离子体强CVD是当今普遍采用的制备a一Sl
，H0M0一CVD技术和热丝CVD技术等。离子束淀积a-Si合金薄膜时，包括硅烷在内的反应气体先在离化室离化分解，然后形成离子束，淀积到衬底上，形成结构绞稳定的a一Sl合金薄膜。 H0M0一CVD技术通过

美国应用材料（AMAT）接到了印度MoserBaer的薄膜硅太阳能电池专业制造流水线的开发及安装业务订单。订购协议中除了CVD、PVD、激光划片等多种制造装置之外，还包含工厂管理软件、自动化设备