CVD
东电电子公布了与夏普共同成立的太阳能电池制造装置开发公司的详细情况。公司名称为东电电子PV，只从事薄膜硅太阳能电池用等离子CVD装置的开发。开发的装置由东电电子制造和销售。计划2009年
三层型薄膜硅太阳能电池的制造，高效率等离子CVD装置的开发是关键。夏普在宣布建设新工厂时表示：“可高效量产三层型的制造装置已经实现”（参阅本站报道）。另外，此次夏普与东电电子合作的目的是，通过在夏普
利用化学气相淀积（CVD）方法来淀积外延层。除成本和可用性等优势以外，这种方法还可以使硅太阳能电池从基于硅片的技术逐渐过渡到薄膜技术。由于具有与传统体硅工艺类似的工艺过程，与其它的薄膜技术相比，这种技术
高质量的多晶硅太阳能电池。这种工艺可以获得平均晶粒尺寸约为5 mm的很薄的多晶硅层。接着利用生长速率超过1 mm/min的高温CVD技术，将种子层外延生长成几微米厚的吸收层，衬底为陶瓷氧化铝或玻璃陶瓷
1995-1-31
1995-8-22
HEMLOCK SEMICONDUCTOR CORP
cvd 反应器的清洁，用在多晶硅生产中
EP0533438
CORP
CVD法蒸发半导体硅
JP1283817
1989-3-24
1989-11-15
HEMLOCK SEMICONDUCTOR CORP
6.
m2。产品将首先面向欧美市场供应，未来还将瞄准中国市场。 新工厂的生产线中将导入等离子CVD装置、激光划线装置、溅射装置、封装装置等。爱发科将负责为烟台工厂提供生产线建设、试运转和生产指导。在此之前
junction)技术，号称可年产总电力达75兆瓦(magawwatts)的太阳能电池模块。 应材在该系统中采用自有的CVD和PVD制程来建构模块中最关键的层，并加上了目前已在平面显示器产业使用的PECVD玻璃基板制程系统。除了这套生产线设备，应材还可提供太阳能模块制造方面的特别服务。
爱发科在该公司茅崎工厂建设的薄膜硅太阳能电池试制线开始部分投产。目前，CVD、溅射设备等主要成膜装置已经启用。?预定导入划线（Scribing）、封装等设备。最终将在07年11月底
爱发科（ULVAC）接到了来自台湾Sunner Solar的全套薄膜硅太阳能电池生产线订单。爱发科在整套提供形成薄膜使用的CVD装置、激光加工装置、溅射装置及组装工序装置等全套生产线的
有报道用SiC14:H2或者SiF4:H2为气源沉积多晶硅，温度较低，在300℃左右即可获得多晶硅，但用CVD法制备得多晶硅晶粒尺寸小，一般不超过50nm，晶内缺陷多，晶界多。
金属横向诱导法
外，还有超高真空化学气相沉积(UHV/CVD)、电子束蒸发等。用UHV/CVD生长多晶硅，当生长温度低于550℃时能生成高质量细颗粒多晶硅薄膜，不用再结晶处理，这是传统CVD做不到的，因此该法很适用于
极为广阔。
3.1薄膜材料的制备方法
制备CdTe薄膜方法主要有：（1）CsS，（2）电镀，（3）丝网印刷，（4）化学气相沉积CVD，（s）物理气相沉积PVD，（6）MOCVD，（7）分子束
再结晶法（ZMR法）
在硅（或其它廉价衬底材料上）形成SiO，层，用Lp-CVD法在其上沉积硅层（3m-5m，晶粒尺寸为0.01-0.m），将该层进行区熔再结晶（ZMR）形成多晶硅层
备技术探索 射频等离子体增强CVD是当今普遍采用的制备a-Si合金薄膜的方法。它的主要优点是：可以用较低的衬底温度（200C左右），重复制备大面积均匀的薄膜，制得的氢化a-Si合金薄膜无结构缺陷
。 其它主要新技术还有，离子束淀积a-Si薄膜技术，HOMO-CVD技术和热丝CVD技术等。离子束淀积 a-Si合金薄膜时，包括硅烷在内的反应气体先在离化室离化分解，然后形成离子束，淀积到衬底
