CVD
、硅锗之CVD磊晶成长技术及经验。2006年5月在浙江省海宁市袁花镇中国太阳能基地创建太阳谷公司，预计在2007年可投入第一条线，公司的发展受到了省、市等各级政府的大力支持，给太阳谷公司和光伏产业注入极大的动力和鼓励。（Solarbe原创未经许可，转载必究！）
、硅锗之CVD磊晶成长技术及经验。2006年5月在浙江省海宁市袁花镇中国太阳能基地创建太阳谷公司，预计在2007年可投入第一条线，公司的发展受到了省、市等各级政府的大力支持，给太阳谷公司和光伏产业注入极大的动力和鼓励。（Solarbe原创未经许可，转载必究！）
SiNx膜的方法有很多种，包括：化学气相沉积法（CVD法）、等离子增强化学气相沉积（PECVD法）、低压化学气相沉积法（LPCVD法）。在目前产业上常用的是PECVD法。 PECVD法按沉积腔室等离子
D方法沉积p型、i型和n型薄膜，最后用溅射做背电极。目前工业化的TCO制备方法有溅射法(Sputter)和化学气相沉积法(CVD)，分别在玻璃基板上形成ZnO:Al或ZnO薄膜。化学气相沉积通常使用
一直是薄膜太阳能电池发展的瓶颈之一。除电池本身的结构设计、分析检测需要大量专业人员外，化学气相沉积(CVD)、真空溅射、激光刻线等特殊工艺，以及包括多种特殊气体、高纯水、净化空调系统等的厂务支持系统
薄膜制备过程中，微粒和分子清洁度对高工艺产出起着至关重要的作用。对于化学气相沉积（CVD）工艺腔室而言，由对氟气或含氟气体进行加热或等离子体活化产生的氟自由基是首选的原位清洗剂。它们与CVD薄膜
的一个新指标，为了证明新工艺完全成功，该新制造工艺应该在下列所有三个方面能够有所改进 。而现场制氟能够应对CVD工艺腔室清洗未来将面临的所有挑战。
更少的对环境的影响：
2008年1月，国际半导体
年下半年开始量产。该公司计划导入应用材料的50MW一揽子生产线，09年底产能将达10MW。上海曙海太阳能有限公司（Sunhisolar）展示了薄膜太阳能电池试制品的照片。该试制品采用曙海自主开发的CVD
装置，底板尺寸为1245mm635mm，转换效率为6％。目前正在开发，目标是2010年以后开始量产。自主开发的CVD装置的产能为10MW，该公司计划导入3台该装置，使产能达30MW。另外，薄膜一揽子
有限公司（Sunhisolar）展示了薄膜太阳能电池试制品的照片。该试制品采用曙海自主开发的CVD装置，底板尺寸为1245mm×635mm，转换效率为6％。目前正在开发，目标是2010年以后开始量产。自主开发的CVD装置的
日本神户钢铁将加入太阳能电池研究领域。该公司将提供研发业者电浆化学气相沉积(CVD)制造装置。该公司拟利用连续式涂膜装置，在软性塑料基板上涂上金属膜，提供给软性塑料基板生产业者当做研发使用。由于预期
未来薄膜型太阳电池的成长潜力，该公司提议在制程中测试研发利用金属箔做成之基板成膜装置。
神户钢铁拟生产的产品为，将软性塑料基板卷成滚轴状，利用电浆CVD连续式涂膜装置，称为「W35系列」，专门作为
的Generation F现场氟发生器为CVD腔室清洗提供了一个降低成本、提高产能且有益环保的极好的组合。
通过持续开发新技术和新解决方案，联华林德希望能为我们的中国客户带来以下增值收益：
● 通过我们的
。在对这些措施的效果进行评估并将之与风险进行权衡之后，它们可以被大量采用以便降低成本。
随着CVD腔室中沉积时间的增加，需要对硅残留物进行频繁清洗。我们的现场氟发生器能够取代目前用NF3或SF6进行清洗
