CTM
2016年实现满负荷生产，电池片转换效率、A级品率、CTM(封装损失)、碎片率等各项技术指标均达到行业领先水平，产能利用率达119%。Perc单晶电池阶段性实验效率已达到21.26%，常规4BB、5BB
，电池片转换效率、A级品率、CTM（封装损失）、碎片率等各项技术指标均达到行业领先水平，产能利用率达119％。Perc单晶电池阶段性实验效率已达到21．26％，常规4BB、5BB单晶电池已量产，产线效率
电池参照组相比的绝对增益）。控制好电池工艺，确保效率提升和关键电性能参数的稳定，对黑硅电池效率转化成组件CTM至关重要。湿法黑硅技术是通过提高电池的短波响应来提高光电流。图4是典型的湿法黑硅电池与常规
国际专利。2015年公司还设立了江西分公司，使得生产能力得到优化，力量得以组合，同时积极联合国内外大型玻璃厂、膜液厂以及EVA厂商开发黑硅产品封装材料，为客户提供解决封装CTM值损失的技术方案，以期短时间内将干法黑硅技术全面推广。
CTM和优化组件背面反射率，晋能科技成功超越领跑者技术标准要求，高效多晶组件功率突破275W。目前，公司量产270W高效组件产出比已接近八成。预计到今年第四季度， 275W高效多晶组件的产出比将超过30
介绍，晋能科技采用常规工艺生产的高效多晶组件拥有较低的LID与出色的抗PID效应。通过优化栅线、优化CTM和优化组件背面反射率，晋能科技成功超越领跑者技术标准要求，高效多晶组件功率突破275W。目前
采用常规工艺生产的高效多晶组件拥有较低的LID与出色的抗PID效应。通过优化栅线、优化CTM和优化组件背面反射率，晋能科技成功超越领跑者技术标准要求，高效多晶组件功率突破275W。目前，公司量产
的硅片切割全面完成金刚线改造后，通过配套的黑硅电池工艺，不仅提升多晶电池效率，而且亦将大幅拉低光伏产品制造成本。凭借更先进的电池技术、更低的封装损失（CTM）和更低的初始光衰，多晶在技术上领跑潜力巨大
百分、3年后N型电池量产，效率再次突破；组件端--硅片/电池采购成本下降、创新封装工艺，降低CTM损失和长期衰减损失、实际功率提升，降低单位瓦数的玻璃、铝材、背板、EVA用量和单位人工、能耗、折旧成本
。多晶硅：流化床法、低能源成本、规模经济效益、开车稳定性等；硅片：大投料量、高长速、金刚线切割等；电池片：高效率、高可靠性；组件：提升CTM、半片组件、降低材料等；新技术应用和新产品开发速度加快
