CIS薄膜电池

CIS、CdTe、II-VI…等不同薄膜电池材料的应用，深入剖析最新薄膜电池的发展趋势。此外，「PV Power Expo Taiwan 2008 国际太阳光电展」更规划多元的活动，精心安排了「太阳光电

报告。报告内容包括：基础研究，新器件（含染料敏化电池）新材料及新概念太阳电池，晶体硅电池及材料技术，硅基薄膜电池及材料技术，CIS、CdTe和其它III-V族化合物薄膜电池及材料，空间太阳电池
光伏领域方面的奖励候选者将从已获奖者中推荐。亮点之五：企业讲座，技术论坛第十届中国太阳能光伏会议期间，将同期举办太阳能光伏产业、技术和市场发展报告和论坛（光伏产业论坛、薄膜电池论坛、硅材料论坛）以及分会

增长的开始。 相较于晶体硅电池，薄膜电池的最大优势就是材料成本低廉。依据涂层材料的不同，薄膜电池又可分为非晶硅（a-Si，硅基薄膜电池）、铜铟硒（CIS、CIGS）和碲化镉（CdTe）三个常用种类

，薄膜技术是第二代太阳能光伏技术，主要包括非晶硅技术、碲化铬技术和铜铟硒(CIS)技术等，发展前景广阔。其中，CIS型太阳能电池的市场规模2006年度为45亿日元，预计2010年度将迅速扩大至4725亿日元
。 尽管如此，非晶硅并非尽善尽美，不容忽视的一大“硬伤”便在于其较低的转换率。一般非晶硅薄膜电池的光电转换效率在4.5%～5%之间，还不到传统电池的一半，不过，这个难题如今正被逐步攻克

2008年6月1日：EuPD太阳能市场研究所分析得出，全球太阳能薄膜电池技术研究进入一个新的研发阶段。由于市场需求的增加，推动了该技术的发展。到2010年，学者研究得出薄膜电池的产量可以达到3，5
GW。 但是，通过调查表明，欧洲市场对太阳能发电的需求水平将会下降，亚洲和欧洲市场又不能确定是否市场需求能够达到实际的产品生产量。薄膜电池与传统的硅电池相比还是有很大优势的，价格比较便宜，有多种产品可以选择。

薄膜电池包括非晶硅（a-Si，硅基薄膜电池）、铜铟硒（CIS、CIGS）和碲化镉（CdTe）。 成立于1999年，并于2006年在美国纳斯达克上市的薄膜太阳电池生产商第一光伏公司（First Solar

只有几微米的感光材料制成。比起用料较多的晶体硅电池，薄膜电池的最大优势就是成本低廉、价格便宜。根据附着材料的不同，常见的薄膜电池包括非晶硅（a-Si，硅基薄膜电池）、铜铟硒（CIS、CIGS）和碲化镉

、多晶硅Multi-Si、带状硅Ribbon/Sheet c-Si）、非晶硅电池（a-Si）、非硅光伏电池（包括硒化铜铟CIS、碲化镉CdTe）。 近年来，作为太阳能电池主流技术的晶体电池的原材料
多晶硅价格不断上涨，从而致使晶体电池的成本大幅攀升，这使得非晶硅电池成本优势更加明显。另外，薄膜电池（大大节约原材料使用，从而大幅降低成本）成为太阳能电池的发展方向，但是其技术要求非常高，而非晶硅薄膜电池作为目前技术最成熟的薄膜电池，是目前薄膜电池中最富增长潜力的品种。

上游硅料紧缺推动了非晶硅太阳能电池的发展 预估a-Si/u-Si及CdTe/ CIS薄膜电池2020年合计市场份额将达到35-40% 拓日新能源、孚日股份进军非晶硅领域值得
年产量为191.4MW(占比7.6%)，较05年大增了67.9%，产业前景看俏，而就各类非晶硅电池的发展状况，Renewable Energy Unit预测，a-Si/u-Si及CdTe/ CIS薄膜电池

～1.65eV间变化，非常适合调整和优化材料的禁带宽度，使CIGSSe薄膜太阳电池具有最佳的光学能隙。CIGSSe薄膜材料对可见光的吸收系数是薄膜电池中最高的，达到 105/cm，适合于电池结构薄膜化
。这些优势使CIGSSe薄膜电池成为转换效率最高的薄膜电池。CIGSSe薄膜太阳电池使用廉价普通玻璃做衬底，采用溅射预制层后硒化技术，原材料耗损量小，材料成本只有晶体硅电池的一半，而能源消耗不到