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农田上“种”出1.4亿度电!华晟助力高密打造100MW智慧农业来源:华晟新能源 Huasun 发布时间:2025-05-30 14:41:36

+乡村振兴”的典型实践,为当地农民提供双产双收的可持续性收益。从宏观视角看,农光互补正成为破解农村能源转型与产业升级难题的关键路径。据我国农科院耕地质量监测中心最新报告显示,我国尚存2亿亩潜在耕地,主要

杭州:最高480元/kW!公用充电设施配置光伏/储能补贴可上浮20%来源:杭州城乡建设委员会 发布时间:2025-05-30 14:30:02

千瓦以下不超过40元/千瓦。换电站项目按总功率给予不超过200元/千瓦补贴。2.在既有居民住宅小区内和小区外围道路的路侧公共停车位、乡村地区、高速公路服务区和普通国省道沿线(公路两侧100米范围
)以上不超过200元/千瓦,单枪平均功率40千瓦以下不超过120元/千瓦。3.采用诸如光伏发电(装机容量超过50千瓦,且不低于充电站总功率的2%)、储能(储能设备功率不低于充电站总功率的15%,储能设备

比A4纸还薄!中国科学家让太阳能电池“能屈能伸”来源:光伏小知识 发布时间:2025-05-30 14:27:31

,断裂韧性提升至2.8 MPa·m1/2。该工艺仅对边缘20-50 μm区域进行处理,核心光电区域晶体完整性保持率99.5%。应用前景:◎航天领域:已应用于临近空间飞行器,组件面密度降低至0.6 kg

南京大学陈尚尚Science Advances:26.0%!poly-SAMs助力实现紫外稳定高效钙钛矿太阳能模组!来源:钙钛矿人 发布时间:2025-05-30 13:45:30

揭示了常用的自组装单层(SAM)-型HTL具有差的UV稳定性,这会对空穴提取造成不可逆的损害并损害器件稳定性。为了解决这个问题,作者开发了一种名为Poly-2PACz的聚合物和紫外线稳定HTL,与
SAM型HTL相比,Poly-2PACz HTL具有与基质的强结合力和优异的抗紫外线性能。在环境条件下,使用Poly-2PACz HTL的PSC刮涂实现了26.0%的显着效率和出色的紫外线稳定性

甘肃:“十五五”新能源拟新增100GW、2—3条外送通道来源:光伏們 发布时间:2025-05-30 13:38:21

电力处副处长杨昭透露,下一步将推动陇电入川工程尽早核准,并谋划新增2至3条外送通道,力争2030年特高压外送能力达4800万千瓦,年输送电量超1400亿千瓦时。为打造全国重要的新能源及新能源装备

南开大学AM:通过分层金属有机框架调控优化印刷准二维发光钙钛矿薄膜来源:印刷钙钛矿光电器件 发布时间:2025-05-30 13:33:24

副研究员在期刊《Advanced Materials 》发文,题为“Optimizing Printed Quasi‐2D Luminescent Perovskite Films via
油墨中,通过配位取代反应实现 Cd-MOF 的分层,其暴露的芳香环功能化表面为 PEA⁺提供了潜在的成核位点,调控了钙钛矿的结晶动力学和 n 相分布。2. 异质成核生长机制层状 Cd-MOF 与

向海图强!华为助力中广核打造全国首个全容量并网桩基式海上光伏项目来源:华为中国数字能源业务 发布时间:2025-05-30 09:36:04

智能光伏PID方案,保护光伏直流系统及人身安全;创新自研IGBT模块,核心技术自主可控;专业级ICSL认证、业界首个CC认证逆变器产品、产品安全能力等级SL2级,保障电站端到端信息安全。■ 智能运维

禾迈股份控股股东增持计划实施完毕,增持金额合计2.22亿元来源:索比光伏网 发布时间:2025-05-30 08:47:50

公司股份累计2,197,200股,占公司总股本124,073,545股的比例为 1.77%,增持金额合计222,208,852.88元(不含印花税、交易佣金等交易费用),已超过本次增持计划增持金额下限1.115亿元,本次增持计划已实施完毕。

发光三苯胺受体材料问世,有机光伏器件能量损失大幅降低!Energy Environmental Science来源:半导体技术情报 发布时间:2025-05-29 16:28:04

PM6:L8-BO共混物中,基于PM6:L8-BO:Z-Tri的三元OSC实现了20.32%的PCE,同时具有0.196 eV的低ΔEnr和0.927 V的开路电压(Voc)。2) 对理论和实验

华侨大学魏展画教授团队《AFM》|定制表面形貌:提升高效准二维钙钛矿LED性能来源:发光材料与器件应用 发布时间:2025-05-29 16:24:03

显示了AFM图像中相应线条扫描的高度,所有AFM图像都使用共享的比例尺表示)。图2. 基于通过一步法和逐步法制备的钙钛矿薄膜的Pero-LEDs的器件结构和工作性能。a) Pero-LEDs器件结构的