非晶硅设备
提效降本是HJT电池产业化的双向动力，也是金石能源努力为客户实现商业价值的方向。金石能源HJT电池双面微晶化PECVD设备配合公司各项专利技术，在转换效率提升的同时，也努力在持续降低成本方面领跑行业
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HJT电池微晶工艺
有助提升转换效率
HJT电池是以N型硅片为衬底，在正面依次为透明导电氧化物膜(简称TCO)、N型非晶硅薄膜和本征非晶硅薄膜;在电池背面依次为TCO、P型非晶硅薄膜和本征
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HJT本质上是一种光伏单晶电池片。HJT电池是双面电池结构，最中间是N型晶体硅，在晶体硅其中一面依次沉积本征非晶硅薄膜和P型薄膜，就形成了P-N结(功能是把光能转化成电能)。由于非晶硅的导电性比较
步就可以。每一步的名称在上图也可以看到，烤包子在这里就不天书般地介绍每一步具体怎么实现了。相较于目前主流的PERC电池的8道和TOPCon的10道工艺，生产步骤大大减少。其中，非晶硅薄膜沉积(第二步
TOPCon光伏电池核心材料超薄氧化硅+原位掺杂非晶硅的制备，同时在抑制非晶硅爆膜、防止电场导通、实现高效电池全工艺集成等关键技术方面取得重大突破，可实现TOPCon电池关键制程的大幅优化和制造成本的显著
下降，并在设备可维护性等方面满足量产需求。
合作进展：
金辰管式PECVD装备将其应用于TOPCon。目前，金辰管式PECVD装备在多家光伏龙头公司已通过中试验证，量产n型TOPCon电池平均效率
巨大的 PERC 电池产能，TOPCon 和 PERC 电池技术和产线设备兼容性较强，以 PERC 产线现有设备改造为主，主要新增设备在非晶硅沉积的 LPCVD/PECVD 设备以及镀膜设备环节。目前
设备，是未来2-3年最具性价比的技术路线。TOPCon和PERC电池技术和产线设备兼容性较强，以PERC产线现有设备改造为主，主要新增设备在非晶硅沉积的LPCVD/PECVD设备以及镀膜设备环节
型技术产线建设。面对目前巨大的PERC电池产能，TOPCon和PERC电池技术和产线设备兼容性较强，以PERC产线现有设备改造为主，主要新增设备在非晶硅沉积的LPCVD/PECVD设备以及镀膜设备环节
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HWCVD技术自1979年由Wiesmann发明后并未引起人们的关注，直至20世纪80年代后期Doyle和Matsumura等人才开始对HWCVD制备氢化非晶硅(a-Si:H)进行研究，在1991年
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HWCVD技术比PECVD技术发展起步晚了约20年，它与其他技术相比最大的优势是成膜速度快和可实现无损镀膜。随着HWCVD技术的不断成熟与发展，它在设备造价和运行成本上的优势也越来越明显，因此受到了
设备和和测试程序外，MST 57中关于脉冲电压测试的其它问题都和MST 14无关)，目前仅剩余1个讨论点：不同电位的非导电部件之间通过封装材料的距离的高压测试
当封装材料间隙小于功能性绝缘间隙时
卤化物设备的光谱可变性
推荐用于聚合物材料的加速老化测试
由于使用不同的光源/滤镜进行UV耐候试验时，对样品材料会有不同的衰减系数。由Dave Miller分享了有关光源的数据和总结，专家们还呼吁
沉积非晶硅薄膜方式。TOPCon 需要在 PERC 产线上增加扩散、 刻蚀及沉积设备改造，成本增加幅度小;而 HJT 电池工艺最简单、步骤最少(核 心工艺 4到7 步)，但基本全部替换掉 PERC
产线，带来的直接结果就是2.4~4亿元/GW的设备成本提升。银浆消耗量的差距，基于目前的数据来看，HJT电池的银浆消耗量是TOPCon的两倍左右，且这个倍率在短期内不会被拉平。工艺的差别，从而导致
大;
2)从工艺角度看，TOPCon与HJT实现功率提升的方式都是通过钝化，不过前者通过隧穿氧化层，HJT通过沉积非晶硅薄膜方式。TOPCon需要在PERC产线上增加扩散、刻蚀及沉积设备改造，成本增加
幅度小;而HJT电池工艺最简单、步骤最少(核心工艺4到7步)，但基本全部替换掉PERC产线，
3)从成本角度看，工艺的不同带来的直接结果就是2.4~4亿元/GW的设备成本提升。银浆消耗量的差距，基于
