非晶硅设备

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双面光伏组件:降低发电成本的新兴升级技术来源:PV-Tech 发布时间:2018-10-11 10:26:45

技术(如钝化接触(PERL、PERT)和HJT)的设备技术 案例:利用梅耶博格系统实现从铝背场至PERC的技术升级 迄今为止,采用梅耶博格技术完成PERC升级的机台总产能超过了30 GW
印刷转变为辅栅印刷。这两种升级方案都可以利用现有生产设施快速进行,而无需增加额外的设备。 现有设施也非常适合未来的电池片技术升级,例如N型硅片材料与钝化接触相结合,包括双面技术。这种升级转换的成本效益

中国光伏发展历史进程来源:弘扬太阳能 发布时间:2018-09-10 10:13:35

关键设备进行招标,只要设备检测符合标准即可,补贴方式仍采用初投资补贴,采用晶体硅组件的示范项目补助标准为9元/瓦,采用非晶硅薄膜组件的为8元/瓦。 2012年实际安装4544MW,上半年,金太阳第一批项目

青海、广东太阳能发展差异及青海新能源发展对广东的启示来源:广东省太阳能协会 发布时间:2018-09-10 08:40:04

,黄河水电电子级多晶硅打破国外垄断,国内市场占有率达10%。单晶硅产量占全国的19%,居全国第三位。 早在2003年以前,广东的光伏制造业发展走在全国前列,深圳聚集了众多太阳能庭院灯、路灯、非晶硅
企业数量多于青海,主要集中在上游辅材、设备,下游逆变器及系统集成方面,没有多晶硅产能。依托电子信息产业优势,逆变器产能占全国一半以上。广东的光伏产业发展大多是本地自然发展的企业,鲜有从外地引进的企业,从

“光伏+”交通 高负荷、高电价的交通枢纽能否成为平价上网项目?来源:智汇光伏 发布时间:2018-09-06 14:49:07

建筑一体化设计,年平均上网电量约153万kWh,主要为停车库区域的照明、机电类设备供电。 3)北京首都机场GTC停车楼光伏电站项目 该项目由中广核新能源北京分公司投资,总规模为464kW。项目建设
:站台雨棚 光伏技术:非晶硅光伏组件 光伏面积:36000 平米 装机容量:1884 kWp 年发电量:2000 MWh(设计估算) 并网方式:2012年8月并网 建成时间

SNEC第十三届(2019)国际太阳能光伏与智慧能源(上海)展览会暨论坛来源:索比光伏网 发布时间:2018-08-28 10:56:30

生产线、测试设备、玻璃清洗设备、结线/焊接设备、层压设备等薄膜电池板生产设备非晶硅电池、铜铟镓二硒电池CIS/CIGS、镉碲薄膜电池CdTe、染料敏化 电池DSSC生产技术及研究设备 B

国家能源集团“全力”进军光伏 前景如何来源:无所不能 发布时间:2018-08-21 09:18:44

兹集团仍掌控着设备制造环节。曼兹集团还和神华、上海电气成立了合资公司苏州曼兹新能源装备有限公司,负责铜铟镓硒生产线的销售,曼兹集团持股56%。神华重庆的铜铟镓硒生产线即从此采购。 全力
煤炭企业设立煤炭设计院承揽自家煤矿设计业务,神华仍然坚持煤矿设计公开招标。 这次国家能源集团引入上海电气,其可能未来更倚重由上海电气作为合作伙伴负责电池、组件等业务的生产。上海电气本身即是电气设备制造

哪种金属化技术最利于异质结电池HJT降本?来源:摩尔光伏 发布时间:2018-08-06 09:29:26

太阳能电池应运而生。异质结电池的发展是从20世纪60年代开始的,1968年实现晶硅与非晶硅结合的异质结器件,1974年首次实现氢化非晶硅,减少非晶硅的缺陷,1983年异质结电池第一次制备成功,效率为12.3

<技术篇>HIT技术金属化发展研究来源:贺利氏可再生能源 发布时间:2018-08-04 15:39:30

、高效率的关键。 HIT电池工艺流程 HIT电池技术金属化(银浆)发展研究 1HIT电池金属化的核心要求 HIT电池因为其特殊的晶硅/非晶硅界面态钝化结构,对设备、工艺、环境、操作水平等要求
,SJT等),通常以n型晶体硅作衬底,宽带隙的非晶硅作发射极,典型结构如上图所示。该电池具有双面对称结构,n型硅衬底两侧两层薄本征非晶硅层,正面一层P型非晶硅发射极层,背面一层n型非晶硅膜背表面场;在两侧

双面光伏组件介绍及其应用前景分析来源:太阳能杂志 发布时间:2018-08-02 09:52:31

间衬底为n 型晶体硅,经过清洗制绒的n 型c-Si 正面依次沉积厚度为5~10 nm 的本征非晶硅薄膜(i-a-Si:H)、p 型非晶硅薄膜(p-a-Si:H),从而形成p-n 异质结。在硅片背表面
依次沉积厚度为5~10 nm 的i-a-Si:H 薄膜、n 型非晶硅薄膜(n-a-Si:H)形成背表面场。在掺杂a-Si:H 薄膜的两侧,再沉积透明导电氧化物薄膜(TCO),最后通过丝网印刷技术在两侧

表面钝化技术路线多样 谁主沉浮?来源:摩尔光伏 发布时间:2018-08-02 09:45:02

等离子体增强化学气相沉积法、氢化非晶硅、热氧化法、原子层沉积法以及叠层钝化,并分别介绍了它们在应用上的优缺点。分析了制备钝化膜过程中存在的问题,并提出了相应措施及发展趋势。表面钝化技术是提高晶体硅电池
中心;二是场效应钝化,即通过电荷积累,在界面处形成静电场,从而降低少数载流子浓度。 文献中齐晓光等采用RF-PECVD沉积技术制备P型非晶硅薄膜材料,研究硼烷浓度和加热温度对薄膜性能的影响。通过对