钝化接触
通过调节氮化硅减反膜厚度可制备出呈现各种颜色的彩色多晶硅太阳电池，但如何获得良好欧姆接触及拉脱力的电极是彩色多晶硅太阳电池制备的难点。本文通过在常规工艺路径基础上增加腐蚀开槽工艺解决了电极性能问题
膜的方法，由于减反膜较厚，目前行业市场化的正面电极银浆无法穿透氮化硅减反膜而到达p-n 结，使正面银浆与硅基体不能形成良好的欧姆接触。因此，本文彩色多晶硅太阳电池在制备过程中最重要的工序是腐蚀，即在
，受到了行业的焦点关注。TOPCon技术是在电池背面制备一层超薄的隧穿氧化层和一层高掺杂的多晶硅薄层，二者共同形成了钝化接触结构。该结构可以阻挡少子空穴复合，提升电池开路电压及短路电流。
在工艺方面
，TOPCon技术只需要增加薄膜沉积设备，能很好地与目前量产工艺兼容。同时TOPCon电池还具有进一步提升转换效率的空间，有望成为下一代产业化N型高效电池的切入点。根据理论计算，钝化接触太阳能电池的潜在效率
的30%。近年来，湿法黑硅(MCCE)、背面钝化(PERC)、异质结电池(HIT)、全背电极接触晶硅光伏电池(IBC)技术、N型双面等一批高效晶硅电池技术不断涌现，为未来的降本之路打开通道。
焦点关注。TOPCon技术是在电池背面制备一层超薄的隧穿氧化层和一层高掺杂的多晶硅薄层，二者共同形成了钝化接触结构。该结构可以阻挡少子空穴复合，提升电池开路电压及短路电流。
在工艺方面，TOPCon
技术只需要增加薄膜沉积设备，能很好地与目前量产工艺兼容。同时TOPCon电池还具有进一步提升转换效率的空间，有望成为下一代产业化N型高效电池的切入点。根据理论计算，钝化接触太阳能电池的潜在效率
掺杂浓度(Nd)有关，势垒越低，掺杂浓度越高，接触电阻越小。
(2)减少载流子Auger复合，提高表面钝化效果
当杂质浓度大于1017cm-3时，Auger复合是半导体中主要的复合机制，而Auger
选择性发射极(iveemitter,SE)太阳电池，即在金属栅线与硅片接触部位及其附近进行高浓度掺杂，而在电极以外的区域进行低浓度掺杂。这样既降低了硅片和电极之间的接触电阻，又降低了表面的复合
了大面积工业级磷掺杂的直拉N型硅片衬底，集成超薄遂穿氧化硅/掺杂多晶硅钝化接触技术，利用量子遂穿效应和表面钝化，实现面积为244.62平方厘米的电池正面光电转换效率达到24.58%。
作为基底，前表面是n+的前场区FSF，背表面为叉指状排列的p+发射极Emitter和n+背场BSF。前后表面均采用SiO2/SiNx叠层膜作为钝化层。正面无金属接触，背面的正负电极接触区域也呈叉指状排列
height)和表面掺杂浓度(Nd)有关，势垒越低，掺杂浓度越高，接触电阻越小。
(2)减少载流子Auger复合，提高表面钝化效果
当杂质浓度大于1017cm-3时，Auger复合是半导体中主要的
选择性发射极(selectiveemitter,SE)太阳电池，即在金属栅线与硅片接触部位及其附近进行高浓度掺杂，而在电极以外的区域进行低浓度掺杂。这样既降低了硅片和电极之间的接触电阻，又降低了表面
太阳能相关器件，希望利用自己的专业知识解决全球能源问题。现在称为TOPCon的隧穿氧化钝化技术，就是我的博士论文课题。此外，目前应用广泛的PERC技术，我也是发明人。
从80年代起，陆续有中国留学生
国内光伏组件产能严重过剩，大批企业陷入困境的情况下，张凤鸣成立了南京日托光伏科技有限公司。他希望开发出一种差异化、难以被复制的高效太阳能电池技术，这也是MWT背接触专利的由来。
今年的SNEC
光伏行业而言，采用钝化接触的低成本太阳能电池风头正劲，这使得提高效率成为了可能。即使在薄膜电池领域，近年来的技术进步也使现在的效率提高了20%以上。科学家们预测，基于硅的多结太阳能电池的效率潜力将超过35
