金刚线切割硅片

：公司加强成本管控，全面推行金刚线切割工艺、PERC技术等行业先进技术的产业化应用，2015年全年硅片产品非硅成本同比降低20.78%，通过推动拉晶和切片成本的快速下降，硅片毛利率由2014年的17.49

反应离子刻蚀(RIE)或湿法黑硅技术能够解决多晶金刚线切割硅片的制绒问题，但需要增加额外的设备投资、水电、原料及人力等成本。其中，仅固定投资成本部分(不含配套的水电、原料及人力等成本)将增加0.16元/片
左右。并且，即便多晶金刚线切割硅片通过增加额外投资的方式解决了制绒问题，多晶硅材料晶界的疏松特性和存在的硬质点将始终成为阻碍其切割速率提升和进行薄片化切割的主要障碍。单晶切片领域目前已普遍采用金刚线切片

切片技术在多晶领域的应用与进一步提升造成障碍。虽然目前部分多晶制造企业研发采用的反应离子刻蚀(RIE)或湿法黑硅技术能够解决多晶金刚线切割硅片的制绒问题，但需要增加额外的设备投资、水电、原料及人力等
成本。其中，仅固定投资成本部分(不含配套的水电、原料及人力等成本)将增加0.16元/片左右。并且，即便多晶金刚线切割硅片通过增加额外投资的方式解决了制绒问题，多晶硅材料晶界的疏松特性和存在的硬质点将始终

较多晶衰减均高1.00%，即单晶比多晶光衰率更高。稳定衰减：单多晶初始光衰的差异是由于硅片性质决定的，而之后的稳定衰减主要根据组件封装材料、工艺决定组件老化速度，所以和是单晶还是多晶的硅片关系不大
巨大差异：单晶硅片反射率约10%，电池片反射率约2%；多晶硅片反射率约20%，电池片反射率约6%。就电池片而言反射率多晶不如单晶，这是常规多晶效率低于单晶的主要原因；但当电池封装成为组件以后，组件的

下，无论电池端，还是组件端，单晶较多晶衰减均高1.00%，即单晶比多晶光衰率更高。稳定衰减：单多晶初始光衰的差异是由于硅片性质决定的，而之后的稳定衰减主要根据组件封装材料、工艺决定组件老化速度，所以和
是单晶还是多晶的硅片关系不大，稳定衰减方面，单多晶一线品牌都提供线性质保0.7%。2.CTM封装损失CTM(Cell-to-Module)：即从电池到组件的功率封装损失，电池片在封装成为组件的过程中

，做好多晶硅料的搭配使用，降低原料成本。切片工艺方面，继续优化金刚线切割薄片工艺，以保持世界先进水平。当前光伏制造环节的硅料、辅材耗材成本、材料单耗等成本压缩渠道逐渐接近极限，那么，晶龙产业链条终端
。靳保芳认为，企业经营的首要本质在于决策，而一个成功的决策者从来都是戴着望远镜看这个世界的，懂得如何因势而谋、应势而动、顺势而为。光伏行业，作为中国工业近年来发展的一个缩影，从当时一条硅片生产线就是一台

性价比优势将有机会进一步提升，这也是多晶组件过去、以及在未来相当长时期内能占据光伏市场领导地位的主要原因。随着细线径金刚线的质量提升和价格下降，金刚线切割技术正规模化地应用于单晶硅片切割。如同砂线切割同样
/Wp左右。金刚线切割多晶硅片的黑硅制绒技术目前接近产业化的主要有湿法和干法两种。在黑硅技术成为电池厂家标配后，单晶、多晶电池的前表面反射率差异将被抹平。电池厂家数据表明，湿法黑硅技术可在普通电池工艺

是多晶组件过去、以及在未来相当长时期内能占据光伏市场领导地位的主要原因。随着细线径金刚线的质量提升和价格下降，金刚线切割技术正规模化地应用于单晶硅片切割。如同砂线切割同样适用于单晶、多晶一样，随着多晶硅
锭杂质控制技术提升、树脂线质量提升和价格下降，金刚线切多晶硅片也将逐步规模化，带来多晶硅片成本的大幅下降，下降幅度可达20%左右，导致单晶、多晶硅片的成本差在0.25元/Wp左右。金刚线切割多晶硅片的黑硅

的硅片原始厚度为180~190m，硅料消耗成本大幅降低，极大地促进了光伏产业的迅速发展。采用金刚线切割技术可以切割出厚度为100m的硅片，将超薄电池的工艺技术又推进了一步。Jan Hendrik
Petermann采用蒸镀的方法已制备出厚度为43m、效率达19.1%的高效PERC电池。硅片减薄，会影响太阳电池的机械性能和吸光性能，而且必须对常规电池生产线进行改进，以适合批量投产。本文对不同厚度