金刚线切割技术
降低了多晶的生产成本，但是因表面洁净度高，光反射率也高。黑硅电池技术可以提高多晶硅片表面的陷光特性，大幅降低金刚线切割带来的高反射率，完美解决多晶硅片制绒难题，绒面结构接近直拉单晶产品。同时，PERC
单多晶之争做一个总结。庄岩的表述，说明了一个基本理念，在技术上不要钻牛角尖，让市场来选择更合适的产品。
据调查，天合、阿特斯、晶澳、晶科、台湾茂迪、新日光等17家主要企业，都是做多晶
明，多晶产品转换效率20%瓶颈已经被突破。近两年，金刚线切在多晶领域大规模推广，有效降低了多晶的生产成本，但是因表面洁净度高，光反射率也高。黑硅电池技术可以提高多晶硅片表面的陷光特性，大幅降低金刚线切割
单多晶之争做一个总结。庄岩的表述，说明了一个基本理念，在技术上不要钻牛角尖，让市场来选择更合适的产品。据调查，天合、阿特斯、晶澳、晶科、台湾茂迪、新日光等17家主要企业，都是做多晶，但是这些多晶大佬
G7、G8大容量铸锭技术持续进步，金刚线切割技术将得到进一步应用，PERC电池、N型电池规模化生产进一步扩大。
多家企业走出去
据工业和信息化部数据统计，2015年19月，我国光伏相关行业投资
集中度有进一步提升趋势。
生产成本逐步降低
2015年，在内外部环境的共同推动下，我国光伏企业加大工艺技术研发力度，生产工艺水平不断进步。
骨干企业多晶硅生产能耗继续下降，综合成本已降至9
有望达到20%，主流组件产品功率将达到265W270W。硅烷流化床法多晶硅生产工艺有望实现规模化生产，单晶连续投料生产工艺和G7、G8大容量铸锭技术持续进步，金刚线切割技术将得到进一步应用，PERC
%，单晶硅电池有望达到20%，主流组件产品功率将达到265W270W。硅烷流化床法多晶硅生产工艺有望实现规模化生产，单晶连续投料生产工艺和G7、G8大容量铸锭技术持续进步，金刚线切割技术将得到进一步应用，PERC
%，单晶硅电池有望达到20%，主流组件产品功率将达到265W270W。硅烷流化床 法多晶硅生产工艺有望实现规模化生产，单晶连续投料生产工艺和G7、G8大容量铸锭技术持续进步，金刚线切割技术将得到进一步应用
。新的技术很受到电池厂商欢迎因此成为目前主流。 对于目前热议的金刚线切割技术，梁学勤提出了自己的观点：金刚线切单晶已经得到大规模推广应用，促进成本下降。多晶与单晶比较大的差异是，与现有技术不兼容
产能为6.8万吨/年，占比36.2%。行业产能利用率进一步提高，从2014年的84.6%提升至90.9%（如表1所示）。部分企业已突破国外企业的技术封锁，掌握了完全自主权的多晶硅生产技术，并初步具备实现
进口替代基础。
但同时，我国多晶硅行业还存在一些技术和市场性难题：
一是技术上虽突破了海外封锁，但正遭到来自美国、韩国和欧盟企业低价倾销的冲击，2015年有11.6万吨国外多晶硅进入中国市场
%。行业产能利用率进一步提高，从2014年的84.6%提升至90.9%（如表1所示）。部分企业已突破国外企业的技术封锁，掌握了完全自主权的多晶硅生产技术，并初步具备实现进口替代基础。但同时，我国
多晶硅行业还存在一些技术和市场性难题：一是技术上虽突破了海外封锁，但正遭到来自美国、韩国和欧盟企业低价倾销的冲击，2015年有11.6万吨国外多晶硅进入中国市场；二是总产能相对过剩，但优质产能不足。成本低
36.2%。行业产能利用率进一步提高，从2014年的84.6%提升至90.9%（如表1所示）。部分企业已突破国外企业的技术封锁，掌握了完全自主权的多晶硅生产技术，并初步具备实现进口替代基础。但同时，我国
多晶硅行业还存在一些技术和市场性难题：一是技术上虽突破了海外封锁，但正遭到来自美国、韩国和欧盟企业低价倾销的冲击，2015年有11.6万吨国外多晶硅进入中国市场；二是总产能相对过剩，但优质产能不足。成本低
