金刚线切割技术
的多晶硅片经过常规酸制绒后的表面平均反射率接近30%，只能选择另外的新型的制绒手段。
针对金刚线切割多晶硅片，晶科能源实现的高效电池生产技术工艺流程如图8所示。在先进制绒阶段，金刚线多晶硅片经过常规
已经有反应离子刻蚀(RIE)或者湿法纳米黑硅技术应用到规模化生产中。RIE通常使用SF6/O2混合工艺气体，在蚀刻过程中，F自由基对硅进行化学蚀刻形成可挥发的SiF，O自由基形成SixOyFz对侧墙进行
（RIE）或者湿法纳米黑硅技术应用到规模化生产中。RIE通常使用SF6／O2混合工艺气体，在蚀刻过程中，F自由基对硅进行化学蚀刻形成可挥发的SiF，O自由基形成SixOyFz对侧墙进行钝化处理，形成绒面
反射率的降低并不是十分显著。（2）减小正面电极遮光损失：新型正面电极结构例如MWT（metalWrapThrough）电池，它通过激光穿孔和灌孔印刷技术将正面发射极的接触电极穿过硅片基体引导到硅片背面
，金刚线切割技术将得到进一步应用，PERC电池、N型电池规模化生产进一步扩大。与此同时，我国近99%光伏产品采用晶硅技术，新型薄膜、异质结、高倍聚光等技术路线发展缓慢，技术路线单一化程度偏高，产业后续发展隐患
组件产品功率将达到265~270W。硅烷流化床法多晶硅生产工艺有望实现规模化生产，单晶连续投料生产工艺和G7、G8大容量铸锭技术持续进步，金刚线切割技术将得到进一步应用，PERC电池、N型电池规模化
组件产品功率将达到265~270W。硅烷流化床法多晶硅生产工艺有望实现规模化生产，单晶连续投料生产工艺和G7、G8大容量铸锭技术持续进步，金刚线切割技术将得到进一步应用，PERC电池、N型电池规模化
%，单晶硅电池有望达到20%，主流组件产品功率将达到265~270W。硅烷流化床法多晶硅生产工艺有望实现规模化生产，单晶连续投料生产工艺和G7、G8大容量铸锭技术持续进步，金刚线切割技术将得到进一步应用，PERC
优势；相比较而言，多晶产品产业化程度高，通过技术创新、规模效应和产业推动，多晶凭借高性价比一直占据市场主流。从降本措施看，单晶这几年在连续拉晶、金刚线切割、PERC电池工艺等方面已经也已经潜力挖尽，而
转换效率并不能决定一切。技术上谁都知道，效率高的单晶，衰减也高。有单晶企业说现在衰减都解决了，但降光衰是增加成本的。最后还是要看性价比，专业上叫LCOE归一化度电成本。当然单晶企业讲完理论也讲案例，但抛出
，单晶的技术优势一直没有转化为产业优势;相比较而言，多晶产品产业化程度高，通过技术创新、规模效应和产业推动，多晶凭借高性价比一直占据市场主流。从降本措施看，单晶这几年在连续拉晶、金刚线切割、PERC
的新技术选项。市场单多晶之争越演越烈，为持续以成本优势稳居市场主流地位，多晶硅片转换为金刚线切割来更进一步降低成本已到了非做不可的时机，而黑硅技术即成为必然的选项。除了降低成本之外，多晶转换效率的提升
双玻组件、跟踪系统、MPPT逆变器等新产品需求。硅烷流化床法多晶硅生产工艺有望实现规模化生产，单晶连续投料生产工艺和G7、G8大容量铸锭技术持续进步，金刚线切割技术将得到进一步应用。市场供需关系的改变
