试生产阶段

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第一太阳能不吝技术研发支出稳居组件商TOP1来源:PV-TECH 发布时间:2013-04-02 09:48:08

TempressSystems进行了合作。在2011年,英利宣布熊猫产品生产线上的平均电池转换率已达到了19%,并且在熊猫技术的试生产线上获得了20%的转换率新纪录。   英利绿色能源同时还在其多晶硅电池上取得了新
光伏制造产业仍处在发展阶段。在半导体产业内,研发支出在企业收益额中所占的百分比曾达到10%,甚至在周期性衰退期间曾接近过20%。   然而,如果研发项目被证实是成功的话,研发资金支出应被看做是公司

五大光伏组件企业研发资金使用大PK来源: 发布时间:2013-04-02 08:58:59

AmtechSystems旗下全资子公司TempressSystems进行了合作。在2011年,英利宣布熊猫产品生产线上的平均电池转换率已达到了19%,并且在熊猫技术的试生产线上获得了20%的转换率
产业仍处在发展阶段。在半导体产业内,研发支出在企业收益额中所占的百分比曾达到10%,甚至在周期性衰退期间曾接近过20%。然而,如果研发项目被证实是成功的话,研发资金支出应被看做是公司在与其他竞争对手

重点项目巡礼:衡水英利新能源公司项目建设纪实来源:世纪新能源网 发布时间:2013-03-27 23:59:59

就业具有极强的示范效应。项目的落成对我市当地经济发展及产业升级转型意义深远。 目前,一期项目处于试生产阶段,一期全部建成后,年销售收入可达7.5亿元,利税1.1亿元,员工总数可达1300余人。今年衡水

中电光伏博士伉俪获澳洲政府表彰来源: 发布时间:2013-03-27 09:06:59

人能及。此外,赵博士和王博士正在主导中电光伏863计划的实施,目标为效率 20%以上、低成本电池片的开发和商业化。中电光伏去年12月份实验室效率已达20.29%,下个阶段的研发目标是稳定已经取得的
转换效率,同时,在2013年底前实现小规模试生产。董事长陆廷秀先生得知后说道:我们得知两位博士获奖非常高兴和激动,奖项是对他们对光伏行业贡献的一种极大肯定。我们为他们对整个行业以及中电光伏所作出的贡献感到

中电光伏赵建华、王艾华博士同获“杰出澳人”奖来源:索比太阳能光伏网 发布时间:2013-03-25 11:07:23

20%以上转换效率、低成本的电池片的开发和商业化。中电光伏去年12月份实验室效率已达20.29%,下个阶段的研发目标是稳定已经取得的转换效率,同时,在2013年底前实现小规模试生产。 集团董事长陆廷

中电光伏赵建华、王艾华博士同获杰出澳人奖来源:世纪新能源网 发布时间:2013-03-24 23:59:59

,支持高达20%以上转换效率、低成本的电池片的开发和商业化。中电光伏去年12月份实验室效率已达20.29%,下个阶段的研发目标是稳定已经取得的转换效率,同时,在2013年底前实现小规模试生产。集团董事长

施正荣曾在成都研发“秘密武器”来源: 发布时间:2013-03-22 09:11:59

》的一篇文章中。报道称,尚德一直在四川成都秘密研发的碲化镉薄膜电池当时已进入最后阶段,如无意外,将于次年实现量产。该碲化镉薄膜电池项目启动于2009年4月,在过去几年,一直因低调而鲜为人知。尚德一位
化合物半导体多晶薄膜太阳电池的研制,在短短的3年里,研制了近空间升华系统等关键设备。此外,还建立了国家863项目碲化镉薄膜太阳电池的制造技术及中试生产线,该生产线是我国第一条化合物薄膜太阳电池生产线,具有

常州光伏产品出口开始增长 去年亏损12.5亿元来源:中国常州网 发布时间:2013-03-20 08:56:06

有限公司薄膜太阳能电池及组件项目等部分重点项目,即将竣工投产或已经开始试生产,为下阶段我市光伏产业发展注入了新的活力。 去年,常州市光伏行业生产经营形势一路下行,70家光伏企业全年完成工业总产值341.7亿元,同比下降19.5%,亏损12.5亿元。

昱辉阳光光伏产品订单至至七月;公布创纪录的季度业绩来源:PV-Tech每日光伏新闻 发布时间:2013-03-17 23:59:59

硅片声称平均效率为17.6%至17.8%,目前已进入试生产阶段。该公司表示,同样进入试生产的还有Virtus II组件,转换效率为16%。较2012年第三季度每瓦0.15美元,第四季度硅片生产成本下滑

光伏逆变器部件IGBT产业化工程主体混凝土封顶按期完成来源:互联网 发布时间:2013-02-22 14:27:40

1月21日,大功率IGBT产业化建设工程主体混凝土封顶仪式在株洲南车时代电气股份有限公司举行,这标志着该项目顺利完成了首个里程碑节点,保障了项目建设进度,为实现2013年底投入试生产的总目标打下
建设阶段。项目拟建设一条年产12万片的8英寸IGBT芯片产业化生产线,以及其配套的高标准净化芯片制造及封装、测试厂房及其附属设施,建成后将可实现生产600V-6500VIGBT/FRD芯片,并配套形成