背钝化技术

工艺会导致材料出现结构损伤，划槽操作通常会从电池背面进行，以避免p-n结出现分流通路;如果背面金属层有一道小的开口，激光工艺可以采用更为高效的方式进行。对于采用完整背面金属化的钝化发射极和背电极
切片电池技术对于新的光伏组件产能来说是极具吸引力的。 动 机 如今越来越多的光伏组件生产商开始提供半切片电池组件。根据ITRPV2018的信息，半切片电池光伏组件在未来10年的市场份额将接近40

, Jsc和FF在表1中列出。下图2和图3分别为Fraunhofer-ISE 的单晶钝化接触太阳能电池的效率提升及钝化性能改善曲线，从中可以看到钝化接触技术对于效率提升的潜力。目前N型前结钝化接触太阳能电池

加工成本降低40%以上，达2-3分/瓦;同时，具备更高反射率的背表面，为背钝化技术的实施提供可靠的材料基础，大大降低多晶PERC工艺的背抛光成本。 据介绍，TS+系列硅片由于性价比的显著提升，使其

效率最高的电池。 该电池采用交错背接触结构(IBC)，正负电极均采用多晶硅氧化层(POLO)技术实现钝化接触。普通双面电极的电池在使用钝化接触(包括HIT在内)时，虽然提高了钝化效果和电压，但由于钝化

的30%。近年来，湿法黑硅(MCCE)、背面钝化(PERC)、异质结电池(HIT)、全背电极接触晶硅光伏电池(IBC)技术、N型双面等一批高效晶硅电池技术不断涌现，为未来的降本之路打开通道。

，提高了少子寿命，从而提高转换效率。 其实，早在1984年Soder就全面综述了硅太阳能电池的接触电阻理论，分析了不同金属功函数和硅表面掺杂浓度对接触电阻的影响。形成SE结构的技术方案有很多，但大多数都要
求配套相关的新设备与辅材。PERC流行之前，SE电池大规模推广面临着投资成本巨大，高能耗，工艺整体耗时长等困境。 PERC的流行带火了SE。SE技术处理过的电池相比传统太阳电池有0.3%的提升，SE

作为基底，前表面是n+的前场区FSF，背表面为叉指状排列的p+发射极Emitter和n+背场BSF。前后表面均采用SiO2/SiNx叠层膜作为钝化层。正面无金属接触，背面的正负电极接触区域也呈叉指状排列

的复合，提高了少子寿命，从而提高转换效率。 其实，早在1984年Schroder就全面综述了硅太阳能电池的接触电阻理论，分析了不同金属功函数和硅表面掺杂浓度对接触电阻的影响。形成SE结构的技术方案有
很多，但大多数都要求配套相关的新设备与辅材。PERC流行之前，SE电池大规模推广面临着投资成本巨大，高能耗，工艺整体耗时长等困境。 PERC的流行带火了SE。SE技术处理过的电池相比传统太阳电池有

相继推出并应用了金刚石线径细线化、大尺寸硅片、硅片薄片化等各类领先技术，电池片、组件生产领域先后推出并主要应用了黑硅技术、PERC背钝化、半片、双面双玻等先进技术的应用。随着各类技术及产品的持续升级