) Si+4F------SiF4* (2) 等离子体刻蚀是采用高频辉光放电反应,使反应气体激活成活性粒子,如原子或游离基,这些活性粒子扩散到需刻蚀的部位,在那里与被刻蚀材料进行反应,形成挥发性生成物而被去除。 如果硅片未
高的不足,不能满足工业化和规模化生产要求。
此后,人们想到制备石墨烯未必要使用石墨,只需要设法让碳原子结成一层薄膜。化学气相沉积法(CVD)应运而生,这种方法是将乙烯或乙炔等气体导入到一个反应腔内
气体吸附特性,也让其成为新型储氢材料,可以在室温、安全压力下快速可逆地吸放氢气,较高的热稳定性。
石墨烯独特的二维层状结构和良好的生物相容性,使其能很好地作为药物载体。科学家将石墨烯与抗肿瘤药物反应
(PECVD法)、低压化学气相沉积法(LPCVD法)。在目前产业上常用的是PECVD法。PECVD法按沉积腔室等离子源与样品的关系上可以分成两种类型:直接法:样品直接接触等离子体,样品或样品的支撑体就是
,2011年1月8日,中国首台代表国际尖端水平的薄膜太阳能电池关键生产设备--等离子体增强型化学气相沉积设备(PECVD)在上海张江高科技园区的理想能源设备公司成功下线,并进入正泰太阳能薄膜电池生产线。这被
了创新的超高频射频技术,精密的真空和温度控制技术,快速的自动传输技术以及多腔多片的反应腔系统等,大大提高了产能,其产品性能优于国际一流设备,而价格远却低于同等的进口设备。 转变发展方向,专注生产
/Wp,为该行业的组件生产成本创造了全球最低的新标准,同时这种薄膜硅技术和其它光伏技术相比有明显的环保优势。这种先进性得益于各种创新技术,例如用于非晶和微晶硅吸收层最优化的等离子体增强化学气相沉积技术
(PECVD)设备和工艺,以及使用更环保更有效的清洁技术的氟气(F2)的KAI反应腔,该技术清洁反应腔的速率更高,耗气量更低。这些改进都极大地降低了生产成本,缩短了生产周期并提高了生产线的效能。对研发的
消耗量)。在这一阶段,这种计算与成核和结晶动力学结合是有用的,这样也能确定淀积的形貌。下一尺度是在宏观尺度,它提供反应器本身的整体模型。这里,反应器再次以现象学意义被模拟,反应器看作是一组互联的腔室,或
纯物理性刻蚀方式在太阳电池制造过程中很少被用到。纯化学反应性蚀刻,则是利用等离子体产生的化学活性极强的原(分)子团扩散至待刻蚀物质的表面,并与其反应产生挥发性的生成物,通过真空设备抽离反应腔。由于这种
磷硅玻璃等工艺。实验用到的气体有SiH4,NH3,N2。腐蚀溶液为HF酸。SiH4和NH3气体分别用于等离子体增强型化学气相沉积法沉积SiN薄膜,为安全起见,SiH4由氮气稀释至10%,NH3浓度为
的少子寿命测试仪。实验材料:材料采用P型(100)的直拉的125mmx125mm单晶硅片,电阻率约为0.5~3Ω·cm,厚度200+50μm。在实验前经过硅片清洗和制绒,磷扩散,等离子刻蚀,去除
企业将充分发挥规模优势,降低生产成本。 1月8日,中国首台代表国际尖端水平的薄膜太阳能电池关键生产设备等离子体增强型化学气相沉积设备(PECVD)在上海成功下线,这被视为中国在新能源高端装备领域取得的
,一片1.1米1.4米的普通平板玻璃完成导电层覆膜后,进入PECVD反应腔,完成化学气象材料叠层结构的覆膜,即成为转化率10%的薄膜太阳能电池。据介绍,该设备采用了创新的超高频射频技术,精密的真空和温度
不久,一种更给力并实惠的能源将走入寻常百姓家。近日首台代表着国际尖端技术水平的薄膜太阳能电池关键生产设备――等离子体增强型化学气相沉积设备(PECVD)在位于上海张江的理想能源设备公司正式下线。这台
。 据介绍,一片约1.5平方米的普通平板玻璃完成导电层覆膜后,进入PECVD反应腔,完成化学气象材料叠层结构的覆膜,厚度增加了两个微米,即成为转化率可达10%的薄膜太阳能电池。代表第二代光伏技术的