硅薄膜
23.5%，与PERC相比高出1%。其次是技术储备。目前PECVD+PVD是新建产能的主流选择。非晶硅薄膜沉积有PECVD与HWCVD两种路线，TCO沉积有PVD与RPD两种路线。从投资角度
，非晶硅薄膜沉积(PECVD)的设备投资占总设备投入的50%。制绒清洗、TCO制备、电极制备分别占总成本的10%、25%和15%。目前的设备投资额度约5亿元/GW，可以说，未来哪家企业率先推出稳定工艺设备与
生产能力。公司预计，项目正常达产后可形成年均销售收入约20.84亿元，年均税后利润约2.33亿元，内部收益率约为22.12%。据了解，HJT 电池的核心工艺包括:清洗制绒、非晶硅薄膜沉积、TCO 薄膜
这段过往经历，感慨“这确实改变了自己的命运”。1982年，由于成绩优异，宋登元在大学毕业后被留校任教。当时，他在大学实验室的研究主要集中在光伏材料上，1989年就发表了“光诱导化学气相淀积非晶硅薄膜
南威尔士大学的光伏研究中心是全球顶尖的光伏实验室，具有全球光伏界“黄埔军校”之称。在澳洲读博和工作的10年期间，宋登元的研究领域覆盖晶硅电池、多晶硅薄膜电池和第三代硅量子点太阳电池，并研制成了世界上
主任等职，自1996年起就长期从事晶体硅太阳电池、硅薄膜太阳电池、太阳电池产业政策、光伏电价政策、太阳电池应用开发等领域的研究与开发工作，承担并完成多项光伏技术国家科技计划项目。另外，华晟新能源CEO
ZnO，由于制备的TCO表面具有一定绒度，可直接用在电池上。研究人员通过优化LPCVD沉积工艺参数获得的ZnO:B整体性能优于FTO，在此基础上获得单结非晶硅薄膜电池稳定效率达到9.1%。研究人员研究
本征非晶硅薄膜(I-A-SI:H)、P型非晶硅薄膜(p-A-SI:H)，形成光生载流子分离的p-n异质结;在硅片的背面依次沉积本征非晶硅薄膜(I-A-SI:H)、n型非晶硅薄膜(n-A-SI:H)形成
率在93-95%;而PERC电池良率在97-98%之间。异质结相比于PERC和TOPCon工艺步骤少，仅有四步，分别为：制绒清洗、非晶硅薄膜沉积、TCO薄膜沉积、电极金属化。理论而言，工艺步骤少，可以
异质结技术最主要的优势。异质结电池的结构决定了可以天然双面发电，工艺流程只有清洗制绒、非晶硅薄膜沉积、导电膜沉积、丝印固化四个环节，相比8道工序的PERC电池大大简化。在技术延伸上，随着异质结技术的逐渐
HJT均采用钝化接触技术来提高转换效率。其中，TOPCon电池以N型硅衬底，通过背面覆盖一层沉积在超薄隧穿氧化硅层上的掺杂多晶硅薄层，形成较好的钝化接触结构；HJT电池通过非晶硅薄膜的引入，能够兼具
异质结电池采用非晶硅薄膜，全程需要低温制备，因此必须使用低温银浆。与传统的高温银浆相比，低温银浆中的银含量更高，且制备难度更大。在光伏行业发展早期，全球低温银浆市场一直被日企所垄断，低温银浆严重依赖海外
效应干扰，制备的微晶硅薄膜具有极佳的均匀性、工艺窗口较宽，工艺稳定性好，使得制备的异质结电池具有极佳的稳定性和可靠性。公司从客户量产线上得到的数据显示，金石能源异质结整线装备生产的双面微晶异质结电池平均
最主要的优势。异质结电池的结构决定了可以天然双面发电，工艺流程只有清洗制绒、非晶硅薄膜沉积、导电膜沉积、丝印固化四个环节，相比8道工序的PERC电池大大简化。在技术延伸上，随着异质结技术的逐渐
