硅薄膜

硅薄膜,索比光伏网为您提供硅薄膜相关内容,让您快速了解硅薄膜最新资讯信息。关于硅薄膜更多相关信息,可关注索比光伏网。

太阳能电价三五年内难与火电持平来源:深圳报业集团 发布时间:2011-04-07 15:29:59

难以大幅下降。南通强生光电的主要产品为非晶硅薄膜太阳能电池。据董事长沙晓林介绍,传统薄膜电池均为三明治式压层工艺,上片为导电玻璃,下片为背板玻璃或PTP夹层,中间夹杂热粘合膜,体积大成本高。而强生光电

常州伟达推出晶硅双玻璃BIPV组件工艺 来源:Solarbe.com 发布时间:2011-04-07 09:22:08

封装的多晶硅电池组件用在BIPV安全性高,完全符合国内建筑幕墙的强制认证(3C认证),相对于非晶硅薄膜电池组件更便宜且转换率高。同时,第二层PVB可以通过调节多种颜色、以适用于组件的美观性,适用于建筑要求的多种选择。

台企宇通光能与三菱重工签署薄膜电池合作协议来源: 发布时间:2011-04-02 11:38:59

的重点包括三菱重工入股宇通光能,技术合作及三菱重工将部分生产线转移至宇通光能。同时三菱重工将继续薄膜电池的研发、生产和销售。2002年三菱重工在长崎造船机械设备厂下开设谏早工厂涉足非晶硅薄膜电池的制造

宏威(晨真)1.56GW硅薄膜太阳能电池项目启动建设来源:Solarbe.com 发布时间:2011-03-31 09:05:27

我市重点扶持的战略性新兴产业项目——宏威(晨真)硅薄膜太阳能电池项目今天正式启动建设,该项目计划5年内分期投资131亿元,建成年产能达1560兆瓦的硅薄膜太阳能电池生产基地,这意味着我市使用无污染
电力的梦想不再遥远。市领导刘志庚、李毓全、刘树基、黄双福、邓志广出席奠基仪式。宏威(晨真)硅薄膜太阳能电池项目总用地约1600亩,项目启动建设后,将在5年内分期建成13条生产线,建设年产能达1560

太阳能板块概念股一览来源: 发布时间:2011-03-30 11:29:59

相辅相成) ,投产后将形成100万KVAh工业电池的年生产能力。非晶硅薄膜电池:08年8月,公司与美国艾密欧公司在中国保定合资成立保定风帆光伏能源公司,投建非晶硅薄膜电池项目。项目总投资10500万元
,其中:建设投资9450万元,铺底流动资金1050万元。公司注册资本为1000万美元,其中风帆股份有限公司出资750万美元,出资比例为75%,处于控股地位;按目前非晶硅薄膜电池的目前市场价格为20元/瓦

United Solar公司纳米硅薄膜沉积技术获美专利认证来源:PV-Tech 发布时间:2011-03-28 23:59:59

索比光伏网讯:来自Energy Conversion Devices(NASDAQ:ENER)旗下子公司United Solar的Subhendu Guha、Jeff Yang和Baojie Yan三人近日获得由美国商标局向其研发的微晶半导体材料沉积工艺所颁发的美国专利7,902,049。在获得这一专利前数月,公司曾宣布美国能源局与国家可再生能源实验室联合对其微晶技术进行测试并获得了12%的初始

天威薄膜公司与印度签订印度市场合作开发协议来源:Solarbe.com 发布时间:2011-03-28 11:55:59

LIMITRED (AIC SOLAR PORJECTS) 为德国 AIC PROJECTS GMBH 和印度 KSK 集团成立的合资公司,在非晶硅薄膜组件 EPC 工程方面有丰富的经验。 ( C9 ~8 L.
系统优化方面的丰富经验,在印度光伏工程的开发中优先推荐使用天威薄膜的非晶硅薄膜组件。双方还将就优化系统成本保持密切沟通,共同致力于光伏系统效益最大化和成本最低化。 天威薄膜总经理郗文勇说:“我们

中国将如何从产能大国变成光伏工业强国来源: 发布时间:2011-03-26 10:10:59

光伏产业的先进的核心设备的制造业上,德国在这方面是走在前列的,有值得我们学习的地方,中国要解决先进晶体硅太阳电池生产线核心设备的制造,实现第二代以玻璃为基体的非晶硅薄膜太阳电池生产线核心设备的制造和

景泰10兆瓦并网光伏发电项目获准来源:Solarbe.com 发布时间:2011-03-25 09:32:54

多晶硅电池组件5MWP,非晶硅薄膜电池组件5MWP,采用110KV一级电压送出并网。景泰并网光伏电站工程是中国电力投资集团公司在甘肃实现从单一水电向水、火、风、光、新能源发电转变的重要标志,由陇电分公司负责

上海交大教授胡宏勋:如何由产能大国成为光伏工业强国来源:科技日报 发布时间:2011-03-24 10:49:59

光伏产业的先进的核心设备的制造业上,德国在这方面是走在前列的,有值得我们学习的地方,中国要解决先进晶体硅太阳电池生产线核心设备的制造,实现第二代以玻璃为基体的非晶硅薄膜太阳电池生产线核心设备的制造和第三代