硅片清洗

约定鑫辉太阳能将制绒、清洗设备、烧结炉、单线印刷线、硅片减反射膜制造设备、回探针电阻测量仪、等离子刻蚀机、寿命电阻率测试仪、激光椭扁仪、组件测试仪等以售后回租方式向中航租赁融资人民币 12,646.74

好净化服、帽子、戴好口罩、手套，头发长的要将其放入帽子或衣服中。2.净化服至少要每两周清洗一次，工鞋也要定期刷洗，定期进行检查。3.接班班组须提前20分钟到达厂房，负责生产线的卫生工作，包括打扫地面，清理
垃圾桶，擦洗浆料搅拌平台，擦网带，清理碎片等。4.硅片要轻拿轻放。5.要求在丝网印刷接触硅片及网板时生产人员须更换干净的手套。尽量避免不同印刷工序之间的操作人员串岗，避免交叉污染。如必要，必须更换干净

众多光伏企业头痛的问题。美国PureSolar公司提出了一个全新的光伏生产工艺定制硅生产模式，能够迅速实现太阳能发电成本与现有传统电网发电成本持平。目前，该公司正在中国寻找合作伙伴，生产超薄太阳能硅片
。PureSolar公司的超薄太阳能硅片生产项目，使用新的激光诱导硅结晶为核心的系统，建立起一个新的单晶硅薄膜生产标准，将10-50微米的单晶硅结合到各种基材上或者类似超薄覆层工艺生产自结晶的薄片。其

中国多晶硅价格一直保持低位，导致很多企业停产。业内人士指出，清洗废料导致污染问题，而且从废料中回收的多晶硅在以极低的价格进行销售。据报道，中国政府正在对多晶硅废料非法进口展开调查。中国太阳能企业一直
公司内部的硅片生产。第一季度多晶硅平均销售价格为25.98美元/公斤，产品成本为19.7美元/公斤。该公司计划将多晶硅生产成本降至18.5美元/公斤以下。保利协鑫一季度硅片产量为1164MW，同比

索比光伏网讯:一般的自来水和普通的蒸馏水中都含有一些杂质离子如钠离子、钾离子、镁离子、钙离子、氯离子、硫酸根离子、碳酸根离子、硅酸根离子、氨分子等杂质，而硅片的清洗过程要求高纯度的水，这样才能达到
硅片清洗的要求。如果用自来水或蒸馏水清洗硅片，不但不能洗干净，反而玷污硅片表面。因此冲洗硅片必须使用含离子少的高纯水，一般称为去离子水。目前制备去离子水采用离子交换树脂法和反渗透法制备。下面分别作一一

索比光伏网讯:概述前面几章已经介绍了太阳电池生产线上的清洗制绒、扩散和刻蚀等设备结构及性能参数。本章将着重阐述镀膜设备等离子体增强化学气相沉积
PECVD的主要性能指标(如表6.1)，PECVD设备的主要特点(如表6.2)，从表6.1和6.2可以看出，该设备成膜种类为氮化硅，这种PECVD成膜均匀性好、稳定性高。每片硅片间不均匀性误差在5

41角进入硅片，使光生载流子更接近发射结，提高了收集效率，对低寿命衬底尤为重要；V型槽可使发射极横向电阻降低3倍。由于PESC电他的最佳发射极方块电阻在150／口以上，降低发射极电阻可提高电池填充因子
，在发射结扩散后，用激光在前面刻出20m宽、40m深的沟槽，将槽清洗后进行浓磷扩散。然后在槽内镀出金属电极。电极位于电池内部，减少了栅线的遮蔽面积。电池背面与PESC相同，由于刻槽会引进损伤，其性能略低于PESC电池。电池效率达到19．6％。

清洗);4个质量流量计，4路显示;(6)可加工片子尺寸：Ф150mm以内;(7)均匀性：5%(4英寸硅片内)。参考工艺结果如下：(1)刻蚀出线宽为0.13m陡直的SiO2窗口图形;(2)刻蚀出线宽为
后进行刻蚀。在扩散过程中，硅片的周边表面也形成扩散层。周边扩散层使电池的上电极和下电极形成短路，必须将它除去。这个工序是太阳电池制作中必不可少的一步，周边存在任何微小的局部短路都会使电池并联电阻下降

索比光伏网讯:在太阳电池制备中，扩散是一道重要工艺，其主要目的就是形成Ｐ－Ｎ结。对硅进行扩散的典型做法是将硅片置于高温石英管中（通常为８００℃～１２００℃范围），并通入含有待扩散元素的混合气体。在
目前的太阳电池工艺中，通常采用已经掺杂了一定量的硼的Ｐ型硅片作为原料，在硅片的一面通过扩散磷来形成Ｐ－Ｎ结，采用三氯氧磷（ＰＯＣｌ３）作为扩散源提供磷原子。常用的扩散方法为石英管中进行的闭管液态源

组件、电池板及其他建筑一体化产品。本次调查所指称的晶体硅太阳能光伏电池指使用硅片厚度大于20微米，使用任意工艺形成有p-n结，接受但不仅限于以下工艺处理：清洗、刻蚀、镀膜、金属化及其他导电技术。本次