硅片清洗

太阳能多晶硅片生产商，发展一度堪称 光速，如今却债台高筑，深陷供应商堵厂门、公司大裁员等各种风波中。　　根据该公司四季报，2011年四季度赛维负债总额高达60亿美元，负债率达到87.7%。　　是什么让
多晶硅片生产商仅用了两年时间就实现从无到有、继而赴美上市的奇迹，还创下中国企业在美国纽交所IPO的规模之最，发展速度的确堪比光速。　　不过，眼前这座赛维设在苏州的组件厂却很难和光速联系到一起，整个厂区

太阳能光伏电池的光谱相应提高，而在红光区，光谱相应变低。这说明对于本征层的钝化效果提高了蓝光光谱响应的结果，而对于硅片内部的损伤，则对红光部分，光谱相应降低，量子效率下降。对于这种情况，可以下调等离子体的
而和a-Si:H薄膜中的缺陷态相互作用，这样构成了载流子的复合通道。可以使用多形硅来作为钝化层，因为它具有更低的缺陷态密度和暗电流。光陷结构和表面清洗将制绒后的织构表面层使用硫酸和双氧水进行氧化，然后

、3000吨硅料清洗纯化的生产加工能力，计划在2012年将整体硅棒、硅片产能扩大到1GW/年。隆基硅2000吨单晶硅片生产项目被陕西省发改委认定为陕西省2009年高新技术产业项目。公司目前硅棒、硅片

索比光伏网讯:一.硅片的化学清洗工艺原理硅片经过不同工序加工后，其表面已受到严重沾污，一般讲硅片表面沾污大致可分在三类：A.有机杂质沾污：可通过有机试剂的溶解作用，结合超声波清洗技术来去除。B.颗粒

及加工，去除上下的杂质富集层后进行清洗，底部硅块和顶部大晶粒硅块各取6块，厚度25～30mm将其作为另一部分籽晶。将通过以上得到的25块籽晶按55的方式紧密排列平铺在内部尺寸为840840400mm的
中大晶粒由底部贯穿整个硅锭至顶部，上表面大晶粒(50mm)面积大于50%，单晶籽晶小方锭制备获得的准单晶硅片的形貌图如附图4a、4b图4a图4b对比三种籽晶块对应的长晶效果：单晶籽晶处延续单晶生长，至

专利９项。其中，报告期内获得国家发明专利三项，分别为：一种晶体硅太阳能电池选择性发射区的制备方法，太阳能电池硅片清洗剂及其使用方法，一种用于制备单晶硅绒面的酸腐蚀溶液及其使用方法；这些发明专利的取得
太阳能电池及组件）”和超募资金项目“年产１．６亿片８英寸太阳能多晶硅片生产项目”，均处于积极建设中，其中：　　１）“年产２００ＭＷ太阳能电池生产线增资第二期项目（年产１００ＭＷ太阳能电池及组件）”已于

金属杂质聚集的部分后，将硅锭粗粉碎并清洗，并在等离子体熔解炉中去除硼杂质，然后二次区熔单向凝固成硅锭，再次除去外表部分和金属杂质聚集的部分然后粗粉碎和清洗，最后在电子束熔解炉中除去磷和碳杂质
，阿特斯太阳能利用这种多晶硅生产的光伏组件（转化率13.3%-14%）获得了订单，而后赛维LDK签订了用冶金法多晶硅（由加拿大TIM和挪威Elkem供应）为德国电池Q-Cell代工硅片的协议。国内采用

有别于改良西门子法和硅烷法的化学方法，冶金法是利用物理方法生产太阳能级多晶硅，其典型工艺是将纯度好的冶金硅进行水平区熔单向凝固成硅锭，去除硅锭的外表部分和金属杂质聚集的部分后，将硅锭粗粉碎并清洗，并在
等离子体熔解炉中去除硼杂质，然后二次区熔单向凝固成硅锭，再次除去外表部分和金属杂质聚集的部分然后粗粉碎和清洗，最后在电子束熔解炉中除去磷和碳杂质直接生成太阳能级多晶硅。(冶金法的典型工艺流程，摘自中国

索比光伏网讯:硅片切割是太阳能光伏电池制造工艺中的关键部分。该工艺用于处理单晶硅或者多晶硅的固体硅锭。线锯首先把硅锭切成方块，然后切成很薄的硅片。(图1)这些硅片就是制造光伏电池的基板。图 1.
硅片切割的3个步骤： 切料, 切方和切片硅片是晶体硅光伏电池技术中最昂贵的部分，所以降低这部分的制造成本对于提高太阳能对传统能源的竞争力至关重要。本文将对硅片切片工艺、制造业的挑战和新一代线锯技术如何降低

亿元。今年以来，已接到硅片和电池片订单140余兆瓦，各生产线正满负荷生产。如此奇迹是如何产生的?面对记者的探求，董事长靳保芳归因于晶龙全方位、高标准的质量管理。品质管理：高标准、严要求，不让一片不合格
品流入市场在晶龙集团品质部检测室，身穿白色质检服、头戴质检帽、只露出两只眼睛的质检员们正熟练地对单晶硅片进行检测。每个硅片上夹着一张标签，上面详列着各种编号数据。品质部经理柳志强说：只要有这张标签，从拉