硅片制绒

实验设计 3.1实验步骤 样品采集自晶澳电池产线，规格为156mm156mm，厚度为200m，电阻率为1-3.cm的单晶电池片，常规电池片生产工艺，首先对硅片进行腐蚀制绒，得到陷光良好的绒面

采用普通金字塔制绒，硼扩散，ALD氧化铝加PECVD氮化硅钝叠层起到钝化和减反射效果。背面采用上述TOPCon技术，正反金属化采用蒸镀Ti/Pd/Ag叠层实现，电池开路电压达到690.4mV，填充因子
并未结晶为多晶硅，而是达到了类似薄膜硅电池中的微晶硅形态。但由于正面并未制绒，以及类似HIT电池中的正面ITO和微晶硅层的吸收，其短路电流只有31.6mA/cm2，效率17.3%。不过研究人员还特别

索比光伏网讯:得益于晶硅原料成本的大幅下降以及规模化效应，晶硅太阳能电池是目前光伏产业中居于绝对主导地位的产品，并在未来相当长时间内保持这种局面。硅片表面制绒是制造晶硅电池的第一道工艺，又称表面织构

156mm156mm，厚度为200m。将这90片硅片进行正常生产工序，首先对硅片进行腐蚀制绒，得到陷光良好的绒面，清洗后用高温杂质扩散工艺有控制地向硅片中掺入另一种杂质。在标准的太阳能电池工艺中，通常

记者作了专业的权威解读：在层压前，电池片要经过制绒、扩散、去PSG、PECVD、印刷/烧结/测试等多个工艺环节 制绒：将金属硅片放入特定浓度的溶液里，对硅片表面形成同向腐蚀，得到蜂窝状结构的减反射

的纯度并没有达到太阳能电池所要求的硅片的纯度，所以还需进一步提纯制得单晶硅。目前大多使用直拉法制造的单晶硅，在石英坩埚中将多晶硅加热熔化，加入掺杂剂，用一小块籽晶从熔融硅拉出圆柱形的单晶硅。由于掺杂的
进而提高其光电转换效率。1 实验本文选取电阻率在3.5-4.5cm范围内的高电阻率的单晶硅片210片，规格为156mm156mm，厚度为200m。首先在210片硅片表面利用碱腐蚀制备绒面结构，即在硅表面

清洗去除硅片表面微粉、金属离子等，最终获得表面清洁的硅片的工序。3.7电池工序通过在晶体硅片表面腐蚀制绒、扩散或离子注入形成PN结、沉积减反射膜以及制备金属电极，形成将太阳辐射能直接转化成电能的光伏器件

晶硅电池要深很多，呈黑色。其核心是通过刻蚀技术，一方面在常规硅片表面制绒的基础上，形成nm级的小绒面，纳米锥型的小绒面长径分别为400和450nm，长径比为0.9，从而加大陷光的效果，降低反射率，增加

常规的蓝色晶硅电池要深很多，呈黑色。其核心是通过刻蚀技术，一方面在常规硅片表面制绒的基础上，形成nm级的小绒面，纳米锥型的小绒面长径分别为400和450nm，长径比为0.9，从而加大陷光的效果，降低