硅片制绒
金刚线切片技术在多晶领域的应用与进一步提升造成障碍。虽然目前部分多晶制造企业研发采用的反应离子刻蚀(RIE)或湿法黑硅技术能够解决多晶金刚线切割硅片的制绒问题，但需要增加额外的设备投资、水电、原料
及人力等成本。其中，仅固定投资成本部分(不含配套的水电、原料及人力等成本)将增加0.16元/片左右。并且，即便多晶金刚线切割硅片通过增加额外投资的方式解决了制绒问题，多晶硅材料晶界的疏松特性和存在的硬质
黑硅在很宽的波长范围内具有反射率低、接受角广的优点，在太阳能电池领域倍受关注。本文将黑硅制绒工艺应用到N型硅基体上制备成的太阳电池效率高达18.7%。在N型黑硅表面可以制作高浓度硼掺杂的发射极且不
的波段范围内反射率都很低且接受角广而备受关注。除了RIE还有其他制作黑硅的方法，如激光制绒、金属催化湿化学刻蚀、等离子体浸没离子注入等。黑硅在太阳能电池应用中的一个难题是黑硅表面面积增大而导致表面复合
制备方法有异同点，在硅片切割工艺后续工艺基本相同。 硅片来料检验制绒扩散制结-PECVD-去PSG磷硅玻璃丝网印刷背电场电极-烧结-检测分级-包装。 电池加工工艺异点在制绒工艺上，单晶采用异性碱
硅片表面反射率高达40%。降低硅片表面反射率增加光吸收是提高多晶硅太阳能电池转换效率的一个重要方向。在硅片表面沉积具有过渡折射率的减反射层（如SiNx）是一种可以有效减反射的方法，但表面制绒是一种更稳
的市场带来了新的挑战。但几个因素将保证多晶硅片的市场竞争力，包括：多晶硅片在PERC技术中仍然会得到广泛的应用;RIE等新的硅片表面制绒技术将使金刚线切片很快地应用到多晶硅片中来;高效多晶还有提升效率
保证多晶硅片的市场竞争力，包括：多晶硅片在PERC技术中仍然会得到广泛的应用；RIE等新的硅片表面制绒技术将使金刚线切片很快地应用到多晶硅片中来；高效多晶还有提升效率的空间；类（全）单晶仍然可能获得发展
发现当氧化层厚度超过2nm后，其隧穿效应就开始显著下降，影响填充因子。 具体到电池工艺方面，Fraunhofer ISE采用n型FZ硅片，正面采用普通金字塔制绒，硼扩散，ALD氧化铝加PECVD
多晶金刚线硅片制绒技术难题。在金刚线切片技术上，单晶硅片已占有领先优势，但是阿特斯的湿法黑硅技术为金刚线线切在多晶切片领域的大面积推广铺平了道路，多晶也可以应用金刚线切片。单晶VS多晶，单晶略胜一筹
切的更薄、成本更低。单晶硅片已经普及了金刚线切片工艺，而多晶硅片目前已克服多晶金刚线硅片制绒技术难题。在金刚线切片技术上，单晶硅片已占有领先优势，但是阿特斯的湿法黑硅技术为金刚线线切在多晶切片领域的
金刚线切片工艺，而多晶硅片目前已克服多晶金刚线硅片制绒技术难题。在金刚线切片技术上，单晶硅片已占有领先优势，但是阿特斯的湿法黑硅技术为金刚线线切在多晶切片领域的大面积推广铺平了道路，多晶也可以应用金刚线
