硅烷气体

，等离子产生的高硅烷（HOS簇）会进入膜中，引起光劣化。因此，日本产综研将等离子CVD反应器内用网状金属隔开，使等离子区远离基板。这样扩散速度较慢的簇状高硅烷就会被排出去，不会到达基板。另外，此次方法的
最大课题是成膜速度变慢。普通的成膜速度在0.3nm/sec左右，而此次方法则降至0.03nm/sec，仅为前者的1/10。据介绍，这点可通过增加气体流量等改进措施加以改善。

CVD进行成膜时，等离子产生的高硅烷(HOS簇)会进入膜中，引起光劣化。因此，日本产综研将等离子CVD反应器内用网状金属隔开，使等离子区远离基板。这样扩散速度较慢的簇状高硅烷就会被排出去，不会到达基板
。另外，此次方法的最大课题是成膜速度变慢。普通的成膜速度在0.3nm/sec左右，而此次方法则降至0.03nm/sec，仅为前者的1/10。据介绍，这点可通过增加气体流量等改进措施加以改善。

生产成本，提高企业竞争力。而美国LXE技术公司正是太阳能产业里冷氢化、TCS合成、电子级TCS制备和硅烷等多晶硅行业的多项技术提供商之一。LXE公司总部位于新泽西，在休斯敦和拉斯维加斯设有办公室。目前的
)1948年，联合碳素UCC的分公司林德气体为了找到一种合成TCS的方法而最先开发了冷氢化技术，但在当时生产TCS是为了制备有机硅而非高纯硅。(2)1950~1960，林德公司在西维吉尼亚建了一个用冷

的硅材料生产商之一，REC Silicon生产的太阳能和电子级多晶硅及硅烷气体，是光伏、电子等行业重要的原料。其在美国的两个工厂多晶硅产量每年20500吨，而硅烷年总产能超过29000吨。此次合作

Silicon为太阳能产业领先垂直整合公司REC可再生能源公司的分公司。REC Silicon是世界上规模最大的硅材料生产商之一，其生产的太阳能和电子级多晶硅及硅烷气体，是光伏、电子等行业重要的原料。其
在美国的两个工厂多晶硅产量每年2.05万吨，而硅烷年总产能超过2.9万吨。晶盛机电自成立以来，一直致力于光伏产业链上游产品硅材料晶体生长设备的自主研发、制造及销售，公司主要产品包括全自动单晶硅生长炉

。非晶硅的原料是晶硅太阳能电池生产中西门子法生产多晶硅之前的硅烷气体，通过在硅烷（SiH4）中掺杂乙硼烷（B2H6）和磷化氢（PH3）等气体，在低成本基板上（玻璃、不锈钢）低温成膜，避开了成本最高和技术

和 电子级多晶硅及硅烷气体，是光伏、电子等行业重要的原料。其在美国的两个工 厂多晶硅产量每年20,500吨，而硅烷年总产能超过29,000吨。

2.4万吨，减少近6万吨二氧化碳的排放。项目投产将带动主要生产原料超白玻璃、氮气、硅烷气体等相关产业的发展，并直接提供200多个就业岗位。

200兆瓦。全国人大代表，共创集团、共创光伏董事长谢辉说，项目首期50兆瓦产能达产后，预计每年可实现集成销售10亿元，年利税1.5亿元。每年可节省标煤约2.4万吨，减少近6万吨二氧化碳的排放。项目投产将带动主要生产原料超白玻璃、氮气、硅烷气体等相关产业的发展，并直接提供200多个就业岗位。

可节省标煤约2.4万吨，减少近6万吨二氧化碳的排放。项目投产将带动主要生产原料超白玻璃、氮气、硅烷气体等相关产业的发展，并直接提供200多个就业岗位。