硅烷气体
(a-Si太阳能电池)是单质硅的一种形态，一般采用等离子增强型化学气相沉积 (PECVD)方法使高纯硅烷等气体分解沉积而成的。非晶硅太阳能电池是在玻璃衬底上沉积透明导电膜，然后依次用等离子体反应沉积
太阳能薄膜电池非晶硅太阳能电池（a-Si太阳能电池）是单质硅的一种形态，一般采用等离子增强型化学气相沉积(PECVD)方法使高纯硅烷等气体分解沉积而成的。非晶硅太阳能电池是在玻璃衬底上沉积透明导电膜，然后
光伏产业向国外输出绿色能源，将污染和高耗能留在国内，这种产业不要也罢，为了眼前一点蝇头小利，付出了几十年几百年的污染，大量消耗能源又导致大量温室气体排放，高碳产业。
根据德国的
常用的多晶硅生产技术为改良西门子法，这一工艺同时形成大量的四氯化硅等氯硅烷副产物和氯化氢。在这个过程中，如果回收工艺不成熟，四氯化硅、氯化氢、氯气等有害物质极有可能外溢。
一方面
光伏产业向国外输出绿色能源，将污染和高耗能留在国内，这种产业不要也罢，为了眼前一点蝇头小利，付出了几十年几百年的污染，大量消耗能源又导致大量温室气体排放，高碳产业。根据德国的一个研究所的研究表示，每
改良西门子法，这一工艺同时形成大量的四氯化硅等氯硅烷副产物和氯化氢。在这个过程中，如果回收工艺不成熟，四氯化硅、氯化氢、氯气等有害物质极有可能外溢。一方面，目前多晶硅先进的生产技术被美、德、日等
（FluidizedBedReactor）多晶硅制备技术流化床技术与传统的钟罩式反应器制备多晶硅技术相比，转换效率和沉积速度大为提高。如果用硅烷替代三氯氢硅作为被还原气体，可以使多晶硅的沉积温度从
1100摄氏度降低至800摄氏度，可以大大节约能耗。流化床法生产多晶硅单位能耗为30kWh/kg(三氯氢硅)和10kWh/kg（硅烷），为钟罩式生产多晶硅电耗的四分之一。根据SEMI《全球光伏制造数据库
罩式反应器制备多晶硅技术相比，转换效率和沉积速度大为提高。如果用硅烷替代三氯氢硅作为被还原气体，可以使多晶硅的沉积温度从1100摄氏度降低至800摄氏度，可以大大节约能耗。流化床法生产多晶硅单位能耗为
30kWh/kg(三氯氢硅)和10kWh/kg(硅烷)，为钟罩式生产多晶硅电耗的四分之一。根据SEMI《全球光伏制造数据库》的统计显示，2012年全球多晶硅总产量29万公吨，其中流化床法产量近2万公吨
流化床技术与传统的钟罩式反应器制备多晶硅技术相比，转换效率和沉积速度大为提高。如果用硅烷替代三氯氢硅作为被还原气体，可以使多晶硅的沉积温度从1100摄氏度降低至800摄氏度，可以大大节约能耗。流化床法
生产多晶硅单位能耗为30kWh/kg(三氯氢硅)和10kWh/kg(硅烷)，为钟罩式生产多晶硅电耗的四分之一。根据SEMI《全球光伏制造数据库》的统计显示，2012年全球多晶硅总产量29万公吨，其中
流化床技术与传统的钟罩式反应器制备多晶硅技术相比，转换效率和沉积速度大为提高。如果用硅烷替代三氯氢硅作为被还原气体，可以使多晶硅的沉积温度从1100摄氏度降低至800摄氏度，可以大大节约能耗。流化床法
生产多晶硅单位能耗为30kWh/kg（三氯氢硅）和10kWh/kg（硅烷），为钟罩式生产多晶硅电耗的四分之一。根据SEMI《全球光伏制造数据库》的统计显示，2012年全球多晶硅总产量29万公吨，其中
运行结果看，氯硅烷、氢气、氯化氢气体利用率分别达到98.5%、99%、99%以上，使多晶硅生产过程中纯氢消耗从传统西门子工艺的近35立方米/千克降至1立方米/千克以下，且系统能够适应多晶硅生产能力的
企业，共同研究突破技术瓶颈，培养、凝聚研发人才。按ASTM标准，实验室配备了先进的多晶硅检测仪器和分析工具，建设了包含氯硅烷分离提纯技术、多晶硅高效还原技术等在内的六个研发平台和一个测试分析中心，目前
用高压化学气相沉积法(CVD)向中空的光纤内部吹入硅烷(SiH4)气体，通过温度控制等使其结晶而成。 在圆筒型太阳能电池方面，也有其他开发同心圆状太阳能电池的案例，但此次的pin结直径非常小
