焊炉
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210：大硅片加速渗透，带来设备更新需求
硅片设备：据产业调研显示，无论182mm还是210mm，单晶生长炉可以通过部分零部件的改造实现210 的工艺适配，但是在行业发展初期，客户
主要以新建产能而非存量产能改造为主。
电池设备：由于产能扩大，主要设备扩散炉、PEVCD、丝网印刷、分选机等原有电池设备几乎无法兼容新的210工艺，除部分自动化设备外，需要完全进行更换。因为新上产线具备
进行层压固化，由于PVB材料的特殊性与不易分解性，起初使用与夹胶行业一样的固化炉工艺，由于成品率不高，组件价格相对较高，一直难以批量化生产。经过反复的试验论证及工艺优化，英利最终找到了一套成熟的层压
光伏组件电池片间距后，经层压将出现焊带弯曲现象，而弯曲的焊带在阳光照射下将产生反光点，非常影响建筑的美观。那时，高透光组件的焊带弯曲是行业公认的技术难题。为解决这一问题，英利技术人员加班加点进行试验，与车间
切换到M6硅片面积变大12.2%，意味着在非硅成本基本不变的同时，产能同步增到12.2%，最终可使得单瓦成本下降约1分/W。
组件：封装材料单位成本下降。组件端成本节约主要来自于边框、焊带等边长型材
自身，还是下游所需电池片、组件，其产线需重新投建，增加了固定成本，且建设时间所需较长，目前市场份额较小。
硅片拉棒环节，兼容度M6M10M12，只有M12需要更换设备。当前主流单晶炉热屏内径在
带来的降本效应主要体现在组件端及终端电站，即硅片和组件尺寸变大后，边框、焊带等的用量相应增加，但增幅小于尺寸面积增幅，而由此可带来每瓦成本的节省。该效应主要体现在组件端的边框、焊带，以及终端电站的支架
线支持的最大硅片尺寸为166mm，硅片单晶炉设备支持的最大硅片尺寸在190mm左右，新增产线也意味着更大的资本投入及更低的设备有效性。在今年5月，隆基、晶科、晶澳分别推出18X mm尺寸产品，力图在硅片尺寸的放大上找到更好的平衡点实现增效降本。
周长增幅不一致带来的降本效应主要体现在组件端及终端电站，即硅片和组件尺寸变大后，边框、焊带等的用量相应增加，但增幅小于尺寸面积增幅，而由此可带来每瓦成本的节省。该效应主要体现在组件端的边框、焊带，以及
速度，目前已有的电池产线支持的最大硅片尺寸为166mm，硅片单晶炉设备支持的最大硅片尺寸在190mm左右，新增产线也意味着更大的资本投入及更低的设备有效性。在今年5月，隆基、晶科、晶澳分别推出18X
供应合同。保利协鑫将通过现有铸锭炉改造方式和新建产能增加铸锭单晶 产能，预计 2019 年内将鑫单晶产能提升至 10GW。此外，垂直一体化厂商晶科能源也逐步削减多晶硅片产能，并大 力扩产单晶产能，年产
GW，对应新增大尺寸硅片产能 150GW~197GW。
在硅片制造工艺流程中，核心设备主要包括长晶炉、截断机、滚磨机、切片机及分选机，其中单晶炉价值占比最大。 目前，非
比为45.9%，2019年达到65%。2019年单晶硅片价格稳定，价格中枢在0.369美元/片左右，多晶硅片全年跌幅达到23.3%，单多晶价差呈现扩大趋势。
长晶环节中的单炉产出量和
电费为重要降本点。对比长晶环节成本占比，单晶硅片比多 晶硅片高出约21%，单晶硅片降本仍存空间，主要是通过以下几种途径：1)改进拉棒技术提高单炉产出，采用连续拉棒技术摊薄损耗和设备折旧;2)将产线建在
，虽然提升组件功率10-15W，但是产生的收益仍无法满足市场降本需求。
组件提效技术主要包括：半片、反光膜、多主栅、叠瓦、三角焊带拼片、多主栅叠瓦等技术。半片及反光膜技术升级简单、已普及量产，但提效
串串并联设计，这是由于窑炉出料口及钢化炉尺寸限制、仅能满足长2.2m、宽1.1m的玻璃量产。同时为保持外观的相对一致性，G12组件设计需加接跳线(图2.1)。
图2.1 电路设计
4.5-6GW。截至2019 年底，该公司电池年产能达到9.2GW，预计2020年底、2021年分别达到22GW和32GW的产能。
硅片、电池设备端上看，部分公司都已加盟。作为210单晶炉的主要
地降低切割损伤，确保生产过程中的良率，并让组件更可靠。
在多主栅技术上，东方日升选择的是9主栅，天合光能为10主栅。我们这样做的优势在于，可让银浆耗量降至最低，预计比同类电池至少降低11%以上。其焊
尺寸极限就是166mm，扩散炉、PEVCD、丝网印刷、排版串焊等主要设备均可兼容166硅片，因此将硅片尺寸从M2调整为166mm尺寸，仅涉及少量设备改造，代价较低，而适用210mm硅片则需要上全新
