湿法黑硅技术

%，硅片成本下降约15%(0.4-0.6元/片)，保持多晶硅片在成本上的优势;黑硅技术则能有效提高组件功率，其中干法(RIE)黑硅可促进电池效率提高0.4%-0.6%，处于实验阶段的湿法(MCCE
认为，多晶硅片通过黑硅技术的应用推广，在未来五到十年内还将占领市场主导地位。 万跃鹏表示，黑硅技术应用于金刚线切硅片制绒将成为未来多晶硅片的一个发展方向。金刚线切割多晶，可以使单位重量出片数增加约17

%左右的效率差异，这将成为未来多晶技术提升转换效率的主攻方向。万博士进一步指出，黑硅技术由于能显著改善多晶硅片的表面结构，并可以借助金刚线切片技术显著降低加工成本，而成为未来高效多晶技术的理想解决方案
。其中干法（RIE）黑硅可促进电池效率提高0.4%-0.6%，湿法（MCCE）黑硅可促进电池效率提高0.2%-0.4%。万博士引用数据指出，近年来单晶技术的多项进步使得成本大为降低，对以性价比优势主导

多晶硅片量产技术的成功研发，也顺利解决了断线、切割台速低、碎片率高等问题。 针对金刚线切多晶硅片表面损伤层浅、反射率高等问题，黑硅技术可以解决硅片的绒面难题，并大幅提升电池端转化效率。以湿法
5月22日，保利协鑫切片事业部副总裁金善明在参加多晶金刚线切与黑硅技术论坛时发表题为《多晶硅片金刚线切割技术最新进展》报告，分析介绍了多晶硅片金刚线切割技术的优势和挑战，指出黑硅技术有望成为金刚线切

5月22日，由中国光伏行业协会主办的多晶金刚线切与黑硅技术论坛在苏州举行。保利协鑫CTO万跃鹏博士出席会议并作主题发言，他指出，在过去的四、五年间，多晶产品效率的提升主要来源于晶体结构的改善，并
的效率差异已大幅降低到0.2%左右，已十分接近单晶的水平。 而在表面反射率方面，多晶与单晶仍有0.5%左右的效率差异，这将成为未来多晶技术提升转换效率的主攻方向。万博士进一步指出，黑硅技术由于能

已经开始尝试其他的技术方案。其中，金刚线切多晶匹配湿法黑硅技术是当前研发的重点。保利协鑫的gcl法多晶黑硅片以金属诱导，产生纳米微孔结构，增加对光的吸收，解决了在金刚线切多晶硅片的表面制备优质绒面的障碍
。不仅如此，黑硅技术大大弥补了金刚线切多晶硅片反射率更高、严重降低电池效率的缺陷，是理想的配套技术方案。实验数据表明，应用gcl法多晶黑硅技术的电池可以提升电池效率0.3%-0.4%，60片型组件功率

、领导力。 在最新一代鑫多晶s4上，除了晶体结构控制，保利协鑫已经开始尝试其他的技术方案。其中，金刚线切多晶匹配湿法黑硅技术是当前研发的重点。保利协鑫的gcl法多晶黑硅片以金属诱导，产生纳米微孔结构
，增加对光的吸收，解决了在金刚线切多晶硅片的表面制备优质绒面的障碍。不仅如此，黑硅技术大大弥补了金刚线切多晶硅片反射率更高、严重降低电池效率的缺陷，是理想的配套技术方案。 实验数据表明，应用

称之为黑硅技术。其中包括干法蚀刻的离子反应法（Reactive Ion Etching，RIE）技术与湿法蚀刻的金属催化化学腐蚀法（metal Catalyzed Chemical Etching
，MCCE）。除了能解决外观问题之外，从转换效率的角度探讨，多晶电池片因表面反射率高，故多晶效率的提升主要能以降低光反射率为主。黑硅技术能形成奈米级的凹坑，提升入射光的捕捉，故在硅晶圆端降本、电池片端提效

黑硅技术。其中包括干法蚀刻的离子反应法(Reactive Ion Etching，RIE)技术与湿法蚀刻的金属催化化学腐蚀法(metal Catalyzed Chemical Etching，MCCE
)。 除了能解决外观问题之外，从转换效率的角度探讨，多晶电池片因表面反射率高，故多晶效率的提升主要能以降低光反射率为主。黑硅技术能形成奈米级的凹坑，提升入射光的捕捉，故在硅晶圆端降本、电池片端提效两方面

s4上，除了晶体结构控制，保利协鑫已经开始尝试其他的技术方案。其中，金刚线切多晶匹配湿法黑硅技术是当前研发的重点。保利协鑫的gcl法多晶黑硅片以金属诱导，产生纳米微孔结构，增加对光的吸收，解决了在金刚线
切多晶硅片的表面制备优质绒面的障碍。不仅如此，黑硅技术大大弥补了金刚线切多晶硅片反射率更高、严重降低电池效率的缺陷，是理想的配套技术方案。 实验数据表明，应用gcl法多晶黑硅技术的电池可以提升