湿法黑硅技术
，保利协鑫已经开始尝试其他的技术方案。其中，金刚线切多晶匹配湿法黑硅技术是当前研发的重点。保利协鑫的gcl法多晶黑硅片以金属诱导，产生纳米微孔结构，增加对光的吸收，解决了在金刚线切多晶硅片的表面制备优质绒
面的障碍。不仅如此，黑硅技术大大弥补了金刚线切多晶硅片反射率更高、严重降低电池效率的缺陷，是理想的配套技术方案。实验数据表明，应用gcl法多晶黑硅技术的电池可以提升电池效率0.3%-0.4%，60片型
称之为黑硅技术。其中包括干法蚀刻的离子反应法（Reactive Ion Etching，RIE）技术与湿法蚀刻的金属催化化学腐蚀法（metal Catalyzed Chemical Etching
，MCCE）。除了能解决外观问题之外，从转换效率的角度探讨，多晶电池片因表面反射率高，故多晶效率的提升主要能以降低光反射率为主。黑硅技术能形成奈米级的凹坑，提升入射光的捕捉，故在硅晶圆端降本、电池片端提效
反射率，目前已经有反应离子刻蚀(RIE)或者湿法纳米黑硅技术应用到规模化生产中。RIE通常使用SF6/O2混合工艺气体，在蚀刻过程中，F自由基对硅进行化学蚀刻形成可挥发的SiF，O自由基形成SixOyFz
工艺进行初步制绒，去除表面附近的损伤层。继续经过黑硅技术手段进行再制绒，形成亚微米级的绒面。后续经过绒面微处理完成整个先进制绒过程。为增强前表面的钝化效果，一低温氧化的薄层SiOx薄膜被引入到正面扩散层
已经有反应离子刻蚀(RIE)或者湿法纳米黑硅技术应用到规模化生产中。RIE通常使用SF6/O2混合工艺气体，在蚀刻过程中，F自由基对硅进行化学蚀刻形成可挥发的SiF，O自由基形成SixOyFz对侧墙进行
酸制绒工艺进行初步制绒，去除表面附近的损伤层。继续经过黑硅技术手段进行再制绒，形成亚微米级的绒面。后续经过绒面微处理完成整个先进制绒过程。为增强前表面的钝化效果，一低温氧化的薄层SiOx薄膜被引入到
（RIE）或者湿法纳米黑硅技术应用到规模化生产中。RIE通常使用SF6／O2混合工艺气体，在蚀刻过程中，F自由基对硅进行化学蚀刻形成可挥发的SiF，O自由基形成SixOyFz对侧墙进行钝化处理，形成绒面
高效电池生产技术工艺流程如图8所示。在先进制绒阶段，金刚线多晶硅片经过常规酸制绒工艺进行初步制绒，去除表面附近的损伤层。继续经过黑硅技术手段进行再制绒，形成亚微米级的绒面。后续经过绒面微处理完成整个
吸引厂商加速导入黑硅技术的速度。然黑硅技术目前在干法与湿法黑硅技术都还有部分细节问题待市场验证，而今年陆续有一线大厂导入的干法黑硅技术，有望因为产业领导厂商的登高一呼而成为今年市场最火热的新技术。
反应离子刻蚀(RIE)或湿法黑硅技术能够解决多晶金刚线切割硅片的制绒问题，但需要增加额外的设备投资、水电、原料及人力等成本。其中，仅固定投资成本部分(不含配套的水电、原料及人力等成本)将增加0.16元/片
切片技术在多晶领域的应用与进一步提升造成障碍。虽然目前部分多晶制造企业研发采用的反应离子刻蚀(RIE)或湿法黑硅技术能够解决多晶金刚线切割硅片的制绒问题，但需要增加额外的设备投资、水电、原料及人力等
大幅下降，下降幅度可达20%左右，导致单晶、多晶硅片的成本差在0.25元/Wp左右。
金刚线切割多晶硅片的黑硅制绒技术目前接近产业化的主要有湿法和干法两种。在黑硅技术成为电池厂家标配后，单晶
、多晶电池的前表面反射率差异将被抹平。电池厂家数据表明，湿法黑硅技术可在普通电池工艺上提升效率0.2～0.3%，干法可提升效率0.5～0.8%。
图4 多晶硅片技术发展路线图
至于铸锭成本方面
/Wp左右。金刚线切割多晶硅片的黑硅制绒技术目前接近产业化的主要有湿法和干法两种。在黑硅技术成为电池厂家标配后，单晶、多晶电池的前表面反射率差异将被抹平。电池厂家数据表明，湿法黑硅技术可在普通电池工艺
