湿法化学设备

耐高温、耐腐蚀，因此对其设备材质要求非常苛刻。为了满足这种工艺条件要求，目前业内普遍采用Incoloy 800H作为氢化反应器的设备材料。Incoloy 800H材质的化学成份如下表所示
会与反应器中的硅粉和催化剂结块，从而堵塞旋风分离器、冷凝器和相应管线。如果STC物料处理的不干净，也会堵塞冷凝器、加热器及氢化反应器底部的气体分布器等设备或部件。 （二）、氢化反应器系统：主要包括氢化反应器和

供货商。铂阳在非晶硅薄膜生产上拥有33项自主注册专利和技术秘密，主要专利技术集中于其沉积设备上。铂阳拥有世界上最大的化学气相沉积装置，单室沉积数量为72片电池，沉积面积达到57平方米/炉，光伏电池的尺寸
黑森林古藤巴赫(Gtenbach)，成立于1993年，现有员工1454人。目标市场定位于太阳能光伏技术，半导体技术，医药技术和电路板技术。作为全球湿法化学腐蚀技术的最大供应商之一，RENA的目标是用

使用可以取得最好的效果。生产这种结构的太阳能电池，其核心工艺包括：无接触喷墨印刷、湿法化学工艺和电镀技术。 上市时间 2013年第一季度
德国SCHMID公司日前发表声明称公司的多主栅技术(Multi-Busbar Connector)已经进入最后研发阶段，公司使用总结原型设计中的经验和问题，更好的设计量产设备。该技术使用创新的

宽汇流排技术的配合。在采用这种技术后，银消耗量会减少75%（相比较于常规电池），更少的遮暗范围能够实现0.6%abs的效率增加。在SCHMID集团的工作程序和设备的配合下，多汇流排技术能够在生产带有
选择性放射器（嵌入式选择性放射器技术（InSecT））和大约40m宽的接触片（无接触高效金属喷镀技术（HiMeT））的电池的过程中实现最佳的结果。这种电池制造技术的关键性工序是：无接触墨喷式印刷；湿法

刻蚀剂，与硅反应后生成具有挥发性的SiF4，后面还将详细介绍。5.1.2刻蚀技术的分类及特点刻蚀是采用化学或物理的方法，有选择地从半导体材料表面去除不需要材料的过程。通常刻蚀技术分为湿法腐蚀和干法刻蚀
两种。1.湿法腐蚀湿法腐蚀是通过化学溶液与被刻蚀材料发生化学反应而去除被刻蚀物质的方法。湿法刻蚀的特点是各向同性，但会因存在侧向腐蚀而产生底切现象，从而导致线宽失真，特别是微细线条的刻蚀更为困难，因此

）化学成分配比不适合；３）刻蚀槽流量过大；４）排风量调节不适合；５）传输速度慢等。所以适当调节湿法刻蚀工艺，在保证刻蚀深度的情况下，尽量减小边缘刻蚀宽度，从而在一定程度上可以减少高漏电电池比例
，尤其是人为污染；优化电池加工各工序的工艺，避免机械损伤，对降低电池的暗电流有非常重要的作用。浆料会在在杂质处穿过薄膜层，造成电池的反向暗电流增大。２）风刀油水污染：主要是压缩空气中油水的污染。在制绒设备

，指的是化学物理法。普罗公司所发明的CP法生产太阳能多晶硅，采用高温冶炼、炉外精炼、湿法冶金、粉末冶金、真空冶金以及离子交换等多项专有技术，去除各类杂质，最终将硅料提纯到6N~7N太阳能级多晶硅，并进
索比光伏网讯:一、多晶硅生产工艺综述从大的类别来讲，硅提纯技术可以简单的划分为化学法和物理法，分别以改良西门子法和物理法为代表，还有其他的通过部分环节的改进、优化和调整产生的变异的提纯工艺。其中化学

扩散，制成PN+结，结深一般为0.3-0.5um。(5)周边刻蚀：扩散时在硅片周边表面形成的扩散层，会使电池上下电极短路，用掩蔽湿法腐蚀或等离子干法腐蚀去除周边扩散层。(6)去除背面PN+结。常用湿法
腐蚀或磨片法除去背面PN+结。(7)制作上下电极：用真空蒸镀、化学镀镍或铝浆印刷烧结等工艺。先制作下电极，然后制作上电极。铝浆印刷是大量采用的工艺方法。(8)制作减反射膜：为了减少入反射损失，要在硅片

了一种新的红外吸收高分子材料，这种材料的开发者是日本住友化学公司（Sumitomo Chemical），就集成到这种设备中，这种设备的架构确实广泛适用，光电转换效率跃升至10.6％，这又是一个新的纪录

。提到化学试剂，据很多清洗设备制造商反应，化学试剂即清洗溶剂是当前光伏硅片清洗设备的技术壁垒之一。因为试剂不同，各家所用的RCA清洗法也不相同，比如一些清洗步骤的增加或减少等，但无论是传统RCA清洗