同时兼顾硅片端降本与电池片端提效两方面。目前黑硅技术主要分成干法制绒的离子反应法(Reactive Ion Etching,RIE)技术,以及湿法制绒的金属催化化学腐蚀法(metal Catalyzed
Chemical Etching,MCCE)。以现有设备来看,RIE技术因效率提升较高、已有量产实绩等因素较被市场接受,然而其机台价格昂贵,让不少欲进入者踌躇不前。湿法MCCE方面,虽然机台价格远
端降本与电池片端提效两方面。目前黑硅技术主要分成干法制绒的离子反应法(Reactive Ion Etching,RIE)技术,以及湿法制绒的金属催化化学腐蚀法(metal Catalyzed
Chemical Etching,MCCE)。以现有设备来看,RIE技术因效率提升较高、已有量产实绩等因素较被市场接受,然而其机台价格昂贵,让不少欲进入者踌躇不前。湿法MCCE方面,虽然机台价格远低于干法制绒
索比光伏网讯:受益于终端市场的强劲带动,国内锂电行业迎来巨大发展机遇,2016年动力电池企业扩张动作频频,设备及材料行业也随之享受着红利。而随着春节后一波的材料价格疯涨潮,不少业内人士认为,材料行业
成为资本新宠。这是否意味着,新能源设备红利时代即将过去呢?材料大时代是否已经来临?剑指设备行业高端市场红利持续根据起点研究(SPIR)统计,2016年中国锂电池生产设备规模127.5亿元,同比
,在电压等级、输电距离、传输容量、关键设备等方面不断刷新世界记录,整体达到国际领先水平。新能源发电技术领域我们新能源发电技术起步较晚,但发展很快。风电的单机容量和关键技术不断进步,已经形成了4MW以下
,并且我国严重缺少海上风电施工经验、运行维护与专业监测亟需加强。太阳能发电方面,形成以晶硅太阳能电池为主的产业集群,生产设备部分实现国产化,薄膜太阳能电池技术产业化步伐加快。目前,多晶硅电池平均转化效率
可能性的黑硅技术主要是RIE。但是,RIE黑硅由于需要昂贵的真空设备以及工艺均匀性较差等因素,尚未大规模进入量产。阿特斯历经3年的自主研发,攻克多道技术难关,于2014年12月成功将湿法黑硅技术推广到
。同时,国产RIE设备也促进了该技术发展。但RIE设备的综合性价比始终制约着该技术的大规模推广。另外一种可大规模产业化的黑硅技术是湿法黑硅技术。早在2006年,德国的Stutzmann小组即提出了金属
年产约16亿瓦时智能新能源汽车锂电芯单体的生产能力。7.2亿元用于智能新能源汽车能源站项目,项目总投资7.98亿元,建设周期10个月,通过新增设备、配套及公用设施,建成后每个站满足约2000车次
公司建设辐射全国的充电设备基础设施,在国内新能源推广城市、地区投资建设方便快捷的充电桩,投资建成后桩体纳入爱充网服务运营网络。
万安科技1.3亿元投资新能源汽车领域
万安科技公告,公司6月1日与
用于蚀刻发射级和脱蜡的湿法设备。通过采用伯努利爪子的自动化系统使得schmid喷墨打印机达到每小时3300片的产能。蜡立刻凝固,因此耗时方面得到了很大的改善。此外,蜡在刻蚀处理后很容易就可以被剥离
SCHMID 集团优化了PERC电池的生产过程, 从而减少了化学品的消耗
易于改进:选择性发射极增加效率
在贸易展会上了解更多关于SCHMID集团的技术创新
上海SNEC 展会, 5月24
反射率,目前已经有反应离子刻蚀(RIE)或者湿法纳米黑硅技术应用到规模化生产中。RIE通常使用SF6/O2混合工艺气体,在蚀刻过程中,F自由基对硅进行化学蚀刻形成可挥发的SiF,O自由基形成SixOyFz
最开始的单层膜,已经发展到现在的双层减反射膜和渐进式减反射膜。根据所用镀膜设备的不同,管式PECVD通常采用双层SiNx1/SiNx2减反射膜,板式PECVD则采用渐进式减反射膜。由于SiNx薄膜可调
已经有反应离子刻蚀(RIE)或者湿法纳米黑硅技术应用到规模化生产中。RIE通常使用SF6/O2混合工艺气体,在蚀刻过程中,F自由基对硅进行化学蚀刻形成可挥发的SiF,O自由基形成SixOyFz对侧墙进行
钝化处理,形成绒面结构,如图2B。其绒面反射率可达到4%以下。
减反射膜利用光的干涉相消原理,减小入射光的反射。从最开始的单层膜,已经发展到现在的双层减反射膜和渐进式减反射膜。根据所用镀膜设备的
(RIE)或者湿法纳米黑硅技术应用到规模化生产中。RIE通常使用SF6/O2混合工艺气体,在蚀刻过程中,F自由基对硅进行化学蚀刻形成可挥发的SiF,O自由基形成SixOyFz对侧墙进行钝化处理,形成绒面
结构,如图2B。其绒面反射率可达到4%以下。减反射膜利用光的干涉相消原理,减小入射光的反射。从最开始的单层膜,已经发展到现在的双层减反射膜和渐进式减反射膜。根据所用镀膜设备的不同,管式PECVD通常采用