氮化硅
碳化硅粉料和自结合碳化硅陶瓷来源：中国研磨网 发布时间：2007-07-12 11:28:36
基础上，可以继续碳化硅材料的深加工。碳化硅制做的耐火材料，有板、砖和冶炼容器等多种形式和规格。按结合材料可以分为二氧化硅结合的，粘土结合的，三氧化二铝结合的和氮化硅结合的。碳化硅是一种耐磨，耐腐蚀和
耐高温的材料，在非氧化气氛下，温度可达2200℃，在氧化条件下尚可达1600℃，可是由于结合材料的耐火度低，导致碳化硅制品的耐火度降低，如：氮化硅结合的碳化硅在1350℃即发生分解。所以自结合碳化硅，则可
太阳电池绒面测量与分析-电池绒面测量来源：solarbe.com 发布时间：2007-06-25 15:29:08
前后由半导体氧化层或氮化硅层金属层所构成的电容值分别为CA 和C*A,则 CA=EiE0Ad C
CA C*A=EiE0AdEiE0A*d=AA* 其中,d为氮化硅的厚度。通过对制作绒面前后的电容比,可得出表面
（三）中国光伏发电的现状和展望来源：国家发改委 发布时间：2007-06-12 23:17:52
。其它环节的差额部分需要进口，如电池片、硅锭∕硅片，配套材料等，如图5所示。 产业设备设计水平和制造能力落后。多晶硅铸造炉、线锯、破锭机完全需要进口；PECVD氮化硅沉积设备、丝网印刷机、电池片
太阳能光伏技术——晶体硅太阳能电池及材料来源：solarbe.com 发布时间：2007-06-08 17:19:33
。在晶体生长中受应力等影响造成缺陷越多的硅材料，氢钝化的效果越好。氢钝化可采用离子注入或等离子体处理。在多晶硅太阳电池表面采用pECVD法镀上一层氮化硅减反射膜，由于硅烷分解时产生氢离子，对多晶硅可
上海物理研究所－廉价多晶硅薄膜太阳电池来源：上海物理研究所 发布时间：2007-06-08 14:47:40
多晶硅薄膜太阳电池，结构为背电极/衬底/制有P-N结的多晶硅薄膜/栅状上电极，在电池入射光表面有氮化硅减反射膜，其特征在于：在衬底和制有P-N结的多晶硅薄膜之间还有重掺P
