栅线
，PERC与黑硅技术在单晶和多晶上将得到普遍采用。
黑硅技术助力多晶电池提效降本
对于多晶电池而言，黑硅技术并非是一项新技术。该技术主要是源于2017年金刚线切多晶硅片的普及从而得到推广。
金刚线
切片技术在硅片端可显著降低成本，但金刚线切多晶硅片后，硅片表面损伤层减少，不利于使用传统酸腐蚀方案对硅片进行绒面制备，因此需解决多晶金刚线切割硅片的绒面制绒问题。
黑硅技术是解决该问题的主要路径。该
使组件在工作时局部发热，这种现象叫热斑效应。当热板效应达到一定程度，组件上的焊点熔化并毁坏栅线，从而导致整个太阳电池组件的报废。据行业给出的数据显示，热斑效应使太阳电池组件的实际使用寿命至少减少10
。半片组件本质上是源自划片工艺，只是把大电池片进行垂直于主栅线的划片而已，为什么能提高组件整体功率呢? 光伏组件在工作过程中，电池片上细栅线、主栅线、焊带、汇流条都是电流的传输通道。常规光伏电池片产生的电流
选择性发射极(iveemitter,SE)太阳电池，即在金属栅线与硅片接触部位及其附近进行高浓度掺杂，而在电极以外的区域进行低浓度掺杂。这样既降低了硅片和电极之间的接触电阻，又降低了表面的复合
/sqr，在电极下的重掺方阻则低于40/sqr。
这样的结构有以下三个优点：
(1)降低串联电阻，提高填充因子
电池的串联电阻由栅线体电阻、前栅与硅表面的接触电阻、扩散层薄层电阻、硅片体电阻、背电极
写在前面：热闹的SNEC展会已经顺利收官，鉴于已有不少汇总SNEC组件展出情况的文章，本文只收录了主流一、二线组件厂输出功率最高或最具代表性的一到两款产品，如有错漏欢迎留言补充修正。
组件输出功率
、黄河水电435W的TOPCon组件叠加的技术多达5种以上。
纵观SNEC，半片基本已成为组件技术标配，多主栅也有越来越多的厂商进入，更多的是以半片搭配多主栅技术。另外值得一提的是，不同于此前主推的
优势及挑战 2.1 优势 IBC电池发射区和基区的电极均处于背面，正面完全无栅线遮挡，因为这种特殊的结构设计，使它具有以下优势： 1)电池正面无栅线遮挡，可消除金属电极的遮光电流损失，实现入射光
选择性发射极(selectiveemitter,SE)太阳电池，即在金属栅线与硅片接触部位及其附近进行高浓度掺杂，而在电极以外的区域进行低浓度掺杂。这样既降低了硅片和电极之间的接触电阻，又降低了表面
一般在80-100/sqr，在电极下的重掺方阻则低于40/sqr。
这样的结构有以下三个优点：
(1)降低串联电阻，提高填充因子
电池的串联电阻由栅线体电阻、前栅与硅表面的接触电阻、扩散层薄层电阻
高新区光伏产业发展。 2019年2月27日，国家电投集团中央研究院高效铜栅线晶体硅异质结光伏电池项目(以下简称C-HJT项目)的第一台工艺主设备正式启动安装工作。 首台设备安装，标志着C-HJT
平价上网时代的到来。 半片技术可以有效降低内部损耗，提升组件输出功率，目前基本已成为组件的标配技术。而之所以采用6主栅，王梦松介绍道，此前我们做过一些实证，结果表明多主栅在发电量上比5主栅、6主栅会有
到来。 半片技术可以有效降低内部损耗，提升组件输出功率，目前基本已成为组件的标配技术。而之所以采用6主栅，王梦松介绍道，此前我们做过一些实证，结果表明多主栅在发电量上比5主栅、6主栅会有一些下降，这是
