晶体薄膜
：d为NBG薄膜中Sn²⁺氧化为Sn⁴⁺的电子损失示意图;e展示Sn²⁺在空气中易氧化及Sn粉还原Sn⁴⁺的现象;f描述钙钛矿晶界钝化与体相结晶调控策略;g对比反溶剂与气体淬火法制备WBG薄膜的截面
SEM图像;h为钙钛矿界面异质结形成示意图;i展示Pb-Sn电池异质结的HAADF-STEM图像及EDX元素分布;j是钙钛矿表面分子钝化机制示意图;k比较对照组与PDA处理WBG薄膜的KPFM图像;l
氯仿溶液中的UV-Vis吸收光谱; B)LLZ 1、LLZ 2和LLZ 3薄膜的UV-Vis吸收光谱;
c)LLZ 1、LLZ 2和LLZ 3的能级分布图; d)LLZ 1、LLZ 2和LLZ 3的
独特的松散双腔晶体结构，我们成功地将典型给体PBDB-T的光伏性能提高到了18.0%。此外，当将当前性能最好的明星给体D18与LLZ
1分子组合时，作者发现LLZ 1作为受体在降低光伏系统的电压损失
薄膜，在电子发射角度为0°、45°和75°时的C-N与FA-N比值(5
mM (b)、10 mM (c)和50 mM
(d))。背景颜色用于区分和强调化学配方和钝化方法的差异。粉色代表
FIPA-CP，蓝色代表IPA-CP，绿色代表FIPA-SP，紫色代表IPA-SP钝化方法。e，f，分别使用FIPA-CP和IPA-CP方法沉积的钙钛矿(e)和PbI₂(f)薄膜的XRD图谱。g，对照膜以及
分子冠醚诱导合成制备得到一种全新的物质晶体相——“超分子杂化晶体”，解析并确定其晶体结构，并予以命名;3. 构建了一种崭新的“自组织图灵结构”的钙钛矿薄膜;4. 揭示并首次提出该光吸收拓展背后的
示意图(右)。b，完全由光图案化二维材料构成的场效应晶体管(FET)阵列和逻辑门器件的实物照片，制备于一片2英寸硅晶圆上。c，通过直接光图案化工艺制备的二维范德华图案的光学显微镜图像。图案化工艺的
，交联过程对材料的表面形貌、电学性能几乎没有负面影响。MoS₂薄膜表现出优异的电子迁移率，石墨烯层展现出低接触电阻和高导电性，而交联后的HfO₂层则拥有高击穿电压和稳定的电容值，性能媲美最先进的溶液处理型
人物简介Stefaan De
Wolf于2005年在比利时天主教鲁汶大学获得博士学位，在此期间，他还加入了比利时IMEC，从事晶体硅太阳能电池的研究。2005年至2008年，他在日本筑波国家先进
工业科学技术研究所(AIST)研究硅异质结结构和器件。2008年，他加入瑞士纳沙泰尔洛桑联邦理工学院(EPFL)光伏和薄膜电子实验室，担任其高效硅太阳能电池活动的团队负责人。自2016年9月以来，他
% 初始效率，而 CP
器件因钝化剂渗透导致效率骤降。FIPA 抑制渗透的特性(AR-XPS 深度分析)是稳定性提升的关键。本工作中的所有器件性能器件制备 一、钙钛矿薄膜制备1. n-i-p 结构
CsI+ 0.375M FAPbBr3晶体，DMF/DMSO(90:10)溶解，其余步骤同上。 2. p-i-n 结构(反溶剂法)材料：Cs0.05MA0.05FA0.90PbI3前驱体制备：1.8 M
至-10℃环境，数小时内即可析出橙色晶体。钙钛矿薄膜制备配制1.5M的Cs₀.₀₅FA₀.₉₅PbI₃前驱体溶液：按化学计量比将CsI、FAI和PbI₂溶于DMF:DMSO(4:1 v/v)混合溶剂。体相
(西安交通大学杨冠军), Bo Chen(西安交通大学陈波)研究背景二维/三维钙钛矿异质结通过有效钝化三维钙钛矿薄膜缺陷、提供有利能带排列、抑制非辐射复合、改善载流子动力学并引入疏水性，成为提升钙钛矿
众所周知，MACl是一种能够制备高质量碘基钙钛矿薄膜的神奇添加剂，可改善薄膜形貌并减少缺陷(Joule, 2019, 3,
2179)。然而，即使采用高灵敏度的XPS技术也难以在最终形成的钙钛矿
薄膜中检测到氯元素。因此学界达成共识：MACl添加剂无法融入钙钛矿晶格，且会在热退火过程中挥发。此外，发表于《Science》期刊的另一项研究(Science,
2020, 367,
1097
提升了薄膜均匀性，并降低了缺陷密度。将该材料与领挚科技薄膜晶体管(TFT)背板集成，并搭配配套读取系统，成功构建了一个感-存-算一体化、高分辨率(32×32)的实时神经形态成像阵列芯片，这也是钙钛矿光电
提出了一种新型固态晶体生长策略，通过以软三碘化铅溶剂化甲基铵粉末(MAPbI3•DMF)为前驱体，在中等压力和温度(100°C,
0.8
MPa)下直接软压在领挚科技TFT阵列传感芯片上，得到
