晶体管
金属卤化物钙钛矿在场效应晶体管中展现出巨大潜力，但N型铅基钙钛矿FETs仍面临高缺陷密度、离子迁移和重复性差等关键挑战。本研究国防科技大学陈晨和湖南大学胡袁源等人提出一种简单而有效的超薄TiO插层策略，从根本上改变了铅基钙钛矿FETs的制备方式。综合表征表明，TiO插层可增强前驱体润湿性、促进更大更均匀的晶粒形成、降低缺陷密度，并有效抑制非辐射复合和离子迁移。
考虑到移动或可穿戴系统对低压设备操作和超低功耗的严格要求，小截止状态漏电流和小亚阈值摆动至关重要。在玻璃基板上制造的n沟道ActivInkN1100TFT的传输和输出特性除p沟道TFT外，还使用PolyeraActivInkN1100作为半导体制造n沟道有机TFT。结论展望本文报道的纳米级TFT和反相器是使用电子束光刻技术制造的。虽然电子束光刻的主要缺点是其低吞吐量，但这并不排除使用电子束光刻在更大规模上制造有机TFT和电路的潜力。
近日，韩国延世大学Kim等人提出一种简单、低温、可溶液加工且可扩展的策略，通过调整和利用Sn基钙钛矿的氧化现象来制造高性能增强型JFETs。该研究成果以题为“Revisitingtheroleofoxidationinstableandhigh-performancelead-freeperovskite-IGZOjunctionfield-effecttransistors”发表于NatureCommunications期刊。图文分析：钙钛矿b-JFET工作机理图1钙钛矿双极结型场效应晶体管的工作机制。实验细节通过低温溶液加工方法制备高性能增强型结型场效应晶体管。通过机械剥离去除Parylene-c层后，将PEASnI层暴露在60°C、约40%相对湿度的空气中进行120分钟的热处理，形成氧化表面层。
示意图(右)。b，完全由光图案化二维材料构成的场效应晶体管(FET)阵列和逻辑门器件的实物照片，制备于一片2英寸硅晶圆上。c，通过直接光图案化工艺制备的二维范德华图案的光学显微镜图像。图案化工艺的
绝缘材料。可量产的二维逻辑器件利用prompt技术，研究人员在2英寸硅晶圆上制备出了全二维材料构成的场效应晶体管(FET)阵列，以及由其构成的基本逻辑门电路(包括非门、与非门和或非门)。这些器件不仅
提升了薄膜均匀性，并降低了缺陷密度。将该材料与领挚科技薄膜晶体管(TFT)背板集成，并搭配配套读取系统，成功构建了一个感-存-算一体化、高分辨率(32×32)的实时神经形态成像阵列芯片，这也是钙钛矿光电
高效硅基光伏电池、钙钛矿太阳能电池等新一代高效低成本光伏电池制备及产业化生产技术，研发光伏逆变器及绝缘栅
双极型晶体管等新型太阳能光伏组件，研发、推动太阳能光伏板提效降耗新技术及光伏-光热-地热集成
产业化生产技术，研发光伏逆变器及绝缘栅
双极型晶体管等新型太阳能光伏组件，研发、推动太阳能光伏板提效降耗新技术及光伏-光热-地热集成冷热电联供技术，研发仿生减反光电技术。生物质多元化利用技术。加快
IGBT(绝缘栅双极晶体管)电源代替传统的晶闸管整流电源,使规模化制氢对电网更加友好，系统综合转化效率更高，对国内制氢电源的技术发展具有引领示范作用。宁东地区是宁夏氢能产业的主要聚集地，这里拥有绿氢耦合
)用于电动汽车的碳化硅金属-氧化物半导体场效应晶体管传统电介质与碳化硅界面存在高密度缺陷，本项目将利用电沉积技术，实现电动汽车级1.2千瓦碳化硅金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的制备，从根本上改变传统器件关键部分即栅极氧化物的形成方式。
。今年6月30日，双方就此款设备达成了采购订单。除Micro LED巨量转移之外，迈为还与天马新型显示技术研究院在激光剥离、激光键合设备及工艺领域协力开发，致力于共同开创基于TFT(薄膜晶体管)技术的
近10多年来，钙钛矿半导体材料的发现和发展对光电转换及应用产生了明显的积极影响，目前已在晶体管、探测器、传感器、太阳能电池、光通讯、发光显示、激光器等应用领域表现出巨大潜力。其中，钙钛矿太阳能电池
