效非晶硅

(HJT)由此站上风口，成为最受追捧的下一代N型电池热门技术路线之一。行业新军、传统巨头纷纷入局，大大加速了异质结的降本提效和产业化进程。前有新玩家华晟新能源加速推进10GW产能扩张，后有隆基多次打破
最主要的优势。异质结电池的结构决定了可以天然双面发电，工艺流程只有清洗制绒、非晶硅薄膜沉积、导电膜沉积、丝印固化四个环节，相比8道工序的PERC电池大大简化。在技术延伸上，随着异质结技术的逐渐

包括氮化硅膜，氧化铝膜，二氧化硅膜，非晶硅膜，透明导电膜 等。PERC，TOPcon，HJT，P-IBC 等电池技术通过使用不同的膜层来达到提效 目的。 氮化硅膜：减反作用和钝化作用。减反射膜原理在于
，都是 利用 PN 结的原理产生光生电流，不同的是 HJT 电池的发射级是一层非常薄的非 晶硅层，然而由于非晶硅本身的特性以及晶格失配产生的缺陷，使得产生的载流 子在接触表面附近很容易复合，因此要在

研发 IBC 电池; 2004 年， SunPower 菲律宾工厂规模量产第一代 IBC 电池; 2019 年黄河水电公司建立国内首条 IBC 电池量产线，转换效 率 23.7%。 IBC 电池
的 Emitter 和 BSF 区域为 p+非晶 硅和 n+非晶硅层，在异质结接触区域插入一层本征非晶硅钝化层。HBC 电池具有高质量的钝化效果和低的温度 系数，并同时具备大短路电流和高开路电压的双重优势

电池结构 N型Poly passivated电池以N型硅片为基板，使用一层超薄的氧化层来钝化电池的背面，其中背面氧化层厚度1~2 nm，随后在氧化层之上沉积50~200 nm非晶硅并掺磷，之后经过
载流子输运机制 市场上另外一种主流N型技术HIT也采用了背钝化技术，但使用了非晶硅膜层，电池制造工艺中需要制备多层非晶硅膜层，制备工艺比较复杂，导致HIT太阳电池的制造成本偏高，降低了整体的性价比

提效降本是HJT电池产业化的双向动力，也是金石能源努力为客户实现商业价值的方向。金石能源HJT电池双面微晶化PECVD设备配合公司各项专利技术，在转换效率提升的同时，也努力在持续降低成本方面领跑行业
。 HJT电池微晶工艺 有助提升转换效率 HJT电池是以N型硅片为衬底，在正面依次为透明导电氧化物膜(简称TCO)、N型非晶硅薄膜和本征非晶硅薄膜;在电池背面依次为TCO、P型非晶硅薄膜和本征

N 型电池技术工艺渐进成熟，降本提效明确驱动产业化提速，从而带动产业链投资机会。N 型硅料和硅片对于碳氧量、纯度等指标要求高，带动原材料、核心设备及工艺水平的提升，有利于产业链龙头生产和设备厂
主生产设备改造优化的需求放量。 ▍降本提效趋势明确，N 型硅片是未来发展方向。N 型电池片带动 N 型硅片需求持续提升，目前市场上 N 型硅片出货占比约 10%，我们预计 2023/25 年占比分

及检测等环节，电池片生产分为清洗制绒、扩散、刻蚀、覆膜及检测等环节，而到了组件环节包括串焊、层压机检测等工艺流程。较长的产业链涉及技术路线与工艺流程多，行业降本提效诉求下的技术迭代和扩产节奏加速，设备
设备，是未来2-3年最具性价比的技术路线。TOPCon和PERC电池技术和产线设备兼容性较强，以PERC产线现有设备改造为主，主要新增设备在非晶硅沉积的LPCVD/PECVD设备以及镀膜设备环节

型技术产线建设。面对目前巨大的PERC电池产能，TOPCon和PERC电池技术和产线设备兼容性较强，以PERC产线现有设备改造为主，主要新增设备在非晶硅沉积的LPCVD/PECVD设备以及镀膜设备环节
良好的镀膜工艺来降低界面复合改善TCO层及Ag接触性能。HJT电池10年衰减小于3%，25年仅下降8%。且电池温度系数小，能减少太阳光带来的热损失; 3)工艺流程更加简化，提效降本空间更大。相比

沉积非晶硅薄膜方式。TOPCon 需要在 PERC 产线上增加扩散、 刻蚀及沉积设备改造，成本增加幅度小;而 HJT 电池工艺最简单、步骤最少(核 心工艺 4到7 步)，但基本全部替换掉 PERC
两者商业化成本的差值(约0.3￥/W)，随着银浆成本上涨，可能0.3元人民币/瓦的差值还不止。 钱晶认为P 型产线转向 N 型电池的关键时点已经到来。N 型电池 提效降本空间更大的优势便体现出来，近期