效非晶硅
)为晶硅组件的能效和价格关系图，可以看出，价格的差距远高于效率提升。
单晶光衰 (LID) 问题目前仍难解，虽然单晶厂商通过各种努力，亦或推出新设备致力于解决光衰问题，但 LID 光衰是否能
。IBC 电池使用的 N 型硅片成本较高，电池制备过程中需要多步掺杂等复杂的工艺，使得其制造成本较高，技术门槛高。HIT 电池工艺要求严格，要获得低界面态的非晶硅 / 晶体硅界面，对工艺环境和操作
，成熟稳健、快速增长、新兴潜力结合的多元化全球光伏市场正在形成;另一方面，随着我国光伏发电技术的进步，我国光伏产品不断提效降本，我国光伏行业的核心竞争力不断增强，我国光伏产业受光伏政策驱动以及贸易摩擦
成熟，因此目前应用较多的太阳能电池主要包括单晶硅、多晶硅以及非晶硅薄膜太阳能电池。
太阳能电池分类
数据来源：公开资料整理
从各类太阳能电池市场份额的变化来看， 多晶硅的高性价比使其
二十一世纪电子产品飞速发展，微型变压器、高能效电池、优秀的电源管理芯片，为我们创造出优秀的便携式光伏系统提供了无限的可能。大规模非晶硅太阳能电池的量产，薄膜太阳能电池效率的不断提升，都为光伏延伸产品的
，成本再次增加。非晶硅类太阳能电池可能是光伏建筑一体化的最好伙伴，如CIGS，其比较大的一个特点是发电量和光线入射角没太大关系，在一定的角度范围之内，发电量影响比晶硅类太阳能电池相对低得多；可塑造性抢
索比光伏网讯:光伏电站的质量如何进行量化？在近期举办的第三届光伏电站质量高峰论坛上国家发展和改革委员会能源研究所研究员王斯成以能效比（PR）、度电成本（LCOE）和内部收益率（IRR）等之间的关系
定量化出来。影响整体PR值得14项影响因素和判定指标光伏组件光谱失配损失的量化光谱适配损失，非晶硅(a-Si) 和碲化镉(CdTe)组件对于光谱分布很敏感，需要进行光谱修正，对于晶体硅(C-Si)和
能解决外观问题之外，还能形成纳米级的凹坑、增加入射光的捕捉量，降低多晶电池片的光反射率以推升转换效率。故金刚线切搭配黑硅技术的工艺，能同时兼顾硅片端降本与电池片端提效两方面。2016年11月，保利协鑫
一层非掺杂(本征)氢化非晶硅薄膜和一层与晶体硅掺杂种类相反的掺杂氢化非晶硅薄膜。采取该工艺措施后，改善了PN结的性能。因而使转换效率达到23%，开路电压达到729mV，并且全部工艺可以在200℃以下
而卷土重来的既存技术。黑硅除了能解决外观问题之外，还能形成纳米级的凹坑、增加入射光的捕捉量，降低多晶电池片的光反射率以推升转换效率。故金刚线切搭配黑硅技术的工艺，能同时兼顾硅片端降本与电池片端提效
Thinlayer)硅太阳能电池，是在晶体硅片上沉积一层非掺杂(本征)氢化非晶硅薄膜和一层与晶体硅掺杂种类相反的掺杂氢化非晶硅薄膜。采取该工艺措施后，改善了PN结的性能。因而使转换效率达到23%，开路
量，降低多晶电池片的光反射率以推升转换效率。故金刚线切搭配黑硅技术的工艺，能同时兼顾硅片端降本与电池片端提效两方面。
目前黑硅技术主要分成干法制绒的离子反应法(Reactive Ion
片上沉积一层非掺杂(本征)氢化非晶硅薄膜和一层与晶体硅掺杂种类相反的掺杂氢化非晶硅薄膜。采取该工艺措施后，改善了PN结的性能。因而使转换效率达到23%，开路电压达到729mV，并且全部工艺可以在200
黑硅技术的工艺，能同时兼顾硅片端降本与电池片端提效两方面。目前黑硅技术主要分成干法制绒的离子反应法（Reactive Ion Etching，RIE）技术，以及湿法制绒的金属催化化学腐蚀法（metal
世界记录。HIT太阳电池组件HIT（Heterojunction with intrinsic Thinlayer）硅太阳能电池，是在晶体硅片上沉积一层非掺杂（本征）氢化非晶硅薄膜和一层与晶体硅掺杂
同时兼顾硅片端降本与电池片端提效两方面。目前黑硅技术主要分成干法制绒的离子反应法（Reactive Ion Etching，RIE）技术，以及湿法制绒的金属催化化学腐蚀法（metal Catalyzed
Thinlayer）硅太阳能电池，是在晶体硅片上沉积一层非掺杂（本征）氢化非晶硅薄膜和一层与晶体硅掺杂种类相反的掺杂氢化非晶硅薄膜。采取该工艺措施后，改善了PN结的性能。因而使转换效率达到23%，开路电压
端降本与电池片端提效两方面。目前黑硅技术主要分成干法制绒的离子反应法(Reactive Ion Etching，RIE)技术，以及湿法制绒的金属催化化学腐蚀法(metal Catalyzed
Thinlayer)硅太阳能电池，是在晶体硅片上沉积一层非掺杂(本征)氢化非晶硅薄膜和一层与晶体硅掺杂种类相反的掺杂氢化非晶硅薄膜。采取该工艺措施后，改善了PN结的性能。因而使转换效率达到23%，开路电压达到
