效非晶硅
科技股份有限公司报告六：智能化装备如何推进高效组件发展拟邀嘉宾：京山轻机控股有限公司报告七：逆变器和组件之间的选型配比拟邀嘉宾：上能电气股份有限公司报告八：新型组件——非晶硅薄膜组件\轻柔组件拟邀嘉宾：重庆昊格新能源
在HJT组件提效方面的应用拟邀嘉宾：苏州赛伍应用技术股份有限公司报告三： HJT无主栅封装优势与技术实现路径拟邀嘉宾：江苏爱康科技股份有限公司报告四：玻璃薄片化的技术发展现况拟邀嘉宾：中建材浚鑫
基于异质结3.0技术，采用了吸杂结合双面微晶工艺以及小倒角设计的182mm半片电池，最大化提升了电池效率和组件功率。双面微晶工艺通过把异质结电池正面的n型非晶硅和背面的p型非晶硅微晶化，以提高电池的
异质结组件产品。通过产品线的不断丰富，技术迭代的不断升华，华晟必将引领异质结规模化应用热潮，擘画新光伏时代的蓝图。CEO周丹在论坛开场致辞“异质结是‘双碳’时代的最佳能源技术解决方案，现在它在提效、降本
的二代异质结电池技术》，带来了金石能源双异质结HDT2.0技术，这也是国家工程研究中心的发布的重磅技术成果!报告指出光伏要发展，核心在于：降本、提效、量产!金石能源双异质结HDT2.0技术，首次成功将
技术发展评述》报告南开大学光电子薄膜器件与技术研究所所长张晓丹教授作《钙钛矿/晶硅叠层太阳电池》报告北京工业大学微电子学院博导张永哲教授作《高效硅基异质结太阳电池》报告南昌大学光伏研究院院长周浪教授作《非晶硅/晶体硅
第三个报告为什么选择硅基异质结太阳电池技术?我们回过头来看看怎么样子实现26.81%这是隆基给我们做的分享，这是比较工人的分层钝化的技术，非晶硅层也要做到分层，分缓冲层，分L1和L2，要经纳米化的
，还有TOC层也要分层，包括背面的话，要用纳米晶硅替代非晶硅改善。这种电池只能刚性不能做柔性，给出了一个例子，异质结都可以实现，异质结可以做HBC电池，异质结的电池极限可能是26%到26.5%。行业当中也
23.5%，与PERC相比高出1%。其次是技术储备。目前PECVD+PVD是新建产能的主流选择。非晶硅薄膜沉积有PECVD与HWCVD两种路线，TCO沉积有PVD与RPD两种路线。从投资角度
，非晶硅薄膜沉积(PECVD)的设备投资占总设备投入的50%。制绒清洗、TCO制备、电极制备分别占总成本的10%、25%和15%。目前的设备投资额度约5亿元/GW，可以说，未来哪家企业率先推出稳定工艺设备与
在电池环节，异质结由此站上风口，成为最受追捧的下一代N型电池热门技术路线之一。行业新军、传统巨头纷纷入局，大大加速了异质结的降本提效和产业化进程。纵观国内，从早期的爱康、国家电投、晋能集团、中智电力
率在93-95%;而PERC电池良率在97-98%之间。异质结相比于PERC和TOPCon工艺步骤少，仅有四步，分别为：制绒清洗、非晶硅薄膜沉积、TCO薄膜沉积、电极金属化。理论而言，工艺步骤少，可以
包括氮化硅膜，氧化铝膜，二氧化硅膜，非晶硅膜，透明导电膜 等。PERC，TOPcon，HJT，P-IBC 等电池技术通过使用不同的膜层来达到提效
目的。氮化硅膜：减反作用和钝化作用。减反射膜原理
利用 PN 结的原理产生光生电流，不同的是 HJT 电池的发射级是一层非常薄的非 晶硅层，然而由于非晶硅本身的特性以及晶格失配产生的缺陷，使得产生的载流
子在接触表面附近很容易复合，因此要在晶体硅
非晶硅与导电膜沉积设备，增加靶材需求。●需要双面银浆，且对印刷精度要求更高。●硅片、辅材、设备需要针对性开发以及提效降本。索比咨询认为，由于HJT是一个全新的技术路线，因此在产业生态上落后于更加成熟的
一项就已功不可没。而且从产业技术趋势上看，HJT各种特性更符合技术发展规律，只是崛起仍要时间。HJT的风险在于：●龙头由于旧有产能和避险情绪，短期内放弃HJT路线，延缓HJT生态建设。●非晶硅晶向排列
。效率：IBC(叠加)TOPCon(双面)HJTTOPCon：实现了无需开孔的钝化接触，未来可升级POLO结构，双面TOPCon理论极限可达28.7%。HJT：晶体硅/非晶硅异质结形成PN结，在晶体硅
与非晶硅之间镀制有本征非晶硅钝化膜，理论极限可达28.5%。IBC：电极放在背面减少光照遮挡损失，并且使用隧穿氧化层做电子传输，未来可叠加TOPCon或HJT技术，叠加后效率上限可达29.1%。成本
电池片成本与导电性能的关键所在。今天，让我们走进康康课堂，聊一聊通往HJT降本提效之路的关键：浆料环节。浆料的降本，主要集中于以下两大方向：一是在金属化环节，采用栅线优化升级、激光图形转印等先进技术，来
异质结电池。相比于传统丝网印刷，激光转印技术可大幅降低HJT栅线线宽，实现银浆消耗量减少，而且印刷性能良好，印刷而成的栅线高度一致、宽度均匀，提高了银浆使用率，提效降本优势明显。低温银浆国产化正当时由于
