掺镓硅片

。第二，掺杂剂，硼是主要原因，可以硼镓共掺，是目前一个比较好的办法。另外，电池后处理，比如光退火或者热退火都能部分的解决衰减的问题，但是根上不敢说一定完全能解决。这条路走起来有一个效率极限，怎么办?我们
技术角度还有哪些地方可以大规模降成本?第一，硅片厚度的降低，硅材料是光伏里面的组材，它可以大幅度降低组材的成本。第二，除了硅的组材之外还有什么材料?非硅成本里面最高的是贵金属，价格波动比较大，最近比较贵

降低产品光衰。该项目先后投资1158万元，首次实现了掺镓铸锭工艺的工业化量产，研究成果具有良好的推广应用前景，经济社会效益显著。随后，大海新能源研究人员介绍了高效多晶硅电池用硅片铸锭技术及产业化推广

，隆基可实现量产15ppma以下，研发13ppma以下，最低5ppma改变掺杂剂全掺镓（3.5米长晶棒头尾电阻率比约14) (尚在专利保护期内）硼镓共掺（头部电阻率 3，尾部电阻率 0.5，电阻均匀性

更为有利。目前，单晶PERC生产工艺已较为成熟，而多晶PERC必须要叠加黑硅工艺，量产尚待时日。且PERC工艺会导致初始衰减大幅增加，目前主流解决办法是使用掺镓硅片，但会面临专利和硅片端成品率降低的问题

，量产尚待时日。且PERC工艺会导致初始衰减大幅增加，目前主流解决办法是使用掺镓硅片，但会面临专利和硅片端成品率降低的问题，不是最佳方案。退火设备对抑制单晶衰减更为有效，但长期是否会反弹暂无确切验证，且

多晶铸锭工艺生产单晶。B.采用磁控拉晶工艺或着区熔单晶工艺，减少氧含量的引入，提高单晶硅棒的品质。C.由掺硼改为掺镓，避免硼氧复合的出现。　　4、结论本文简单描述了导致组件CTM损失的可能因素，重点分析了

单晶硅棒的品质。C.由掺硼改为掺镓，避免硼氧复合的出现。4、结论本文简单描述了导致组件CTM损失的可能因素，重点分析了造成单晶组件和多晶组件CTM差异的原因。光学损失和B-O复合之间的差异决定了多晶组件的

硼浓度、用掺镓取代掺硼、使用N型硅晶体、高温热处理、使用同族掺杂硅晶体都可以实现光衰减抑制。余教授特别指出，浙大研究成果表明，第三态的生成能有效控制直拉单晶太阳电池的光衰减效应。 浙江大学

系统集成总监邓良平介绍《高效单晶技术成本路线图及主要实现措施》光衰减现象可以通过多种方式有效控制只有当硼和氧杂质同时存在时才会发生光衰减现象，通过降低氧含量、降低硼浓度、用掺镓取代掺硼、使用N型硅晶体、高温