掺镓硅片
较为敏感，更窄的电阻率分布有利于电池制程的控制。若直拉单晶制造厂商为了进一步降低电池衰减，采用镓作为掺杂剂代替硼掺杂剂，由于镓的分凝系数仅为硼的百分之一，这必将造成掺镓单晶硅棒的电阻率进一步分散。另外
直拉单晶困难得多，目前国内走在最前面的是中环股份。目前中环股份区熔硅单晶抛光片产量全球第三，国内第一。对于现有直拉单晶大厂来说，转向区熔法涉及设备全面改造，因此目前处理单晶的衰减多以掺镓替代掺硼为主
全球第三，国内第一。对于现有直拉单晶大厂来说，转向区熔法涉及设备全面改造，因此目前处理单晶的衰减多以掺镓替代掺硼为主，避免硼氧复合的出现。 随着组件效率和价格的变化，以及领跑者项目推动，让直拉单晶的
30W+。可靠性方面，多晶高效组件解决了多晶背钝化载流子诱导衰减问题：采用掺镓硅片可解决初始户外光衰问题，开发缺陷饱和技术解决红外衰减问题和电致衰减问题，并通过了国际标准老化测试。正泰
跌幅。到10月底，单、多晶硅片均价的价差进一步缩小，后续市况对多晶而言不容乐观。 二、单多晶硅片技术现状 2018年硅片的制造上，CCZ、硼镓共掺、铸造单晶等技术快速发展。值得注意的是，金刚线切割
更严重的硼-氧光致衰减问题，可以造成6%的功率损耗，GTAT长晶总监徐瀚博士在《CCz连续直拉单晶技术》报告中认为，低阻片(重掺硼)会提高PERC电池效率，但也会增加光致衰减，通过掺镓可以解决。但是
正泰新能源的研发团队紧跟双面发电时代步伐，经过半年的研发，实现P型单晶双面电池正面平均转换效率21.83%，双面率达81.2%。 高效高双面率P型双面技术对比 掺镓硅片基底 正泰P型双面
单晶双面电池正面平均转换效率21.83%，双面率达81.2%。 高效高双面率P型双面技术 掺镓硅片基底 正泰P型双面背顿化电池采用掺镓硅片技术解决产品的光致衰减，为产品长期稳定性提供
。其中，铸锭环节掺镓可有效解决多晶PERC电池的光衰问题。 铸锭类单晶兼具少子寿命高、位错密度低和低成本等优势，是硅晶体制造的重要发展方向，保利协鑫已于2018年开始接受铸锭单晶硅片的订单。此外，直接
的掺镓硅片技术，大幅改善了组件光衰问题，进一步提升了组件发电量和系统效率的优化升级。可以说晋能科技采用常规工艺生产的高效多晶组件已成功超越领跑者标准，达到275W。 采访中记者获悉，近年来晋能集团
