掺镓硅片

降低硼氧键结。除了减少硅片的含氧量之外、也可改变掺杂剂，例如改采全掺镓或硼镓共掺。电池端则导入退火炉工艺，目前Centrotherm的re-generater机台最为风行；观察近期台湾厂商的导入状况

方针。硅片厂商致力于降低硼氧键结。除了减少硅片的含氧量之外、也可改变掺杂剂，例如改采全掺镓或硼镓共掺。电池端则导入退火炉工艺，目前Centrotherm的re-generater机台最为风行；观察近期台湾

减少硅片的含氧量之外、也可改变掺杂剂，例如改采全掺镓或硼镓共掺。电池端则导入退火炉工艺，目前Centrotherm的re-generater机台最为风行；观察近期台湾厂商的导入状况，厂商普遍能将单晶PERC的光衰降至2%以内，效果相当显著。以上的方法会在厂商持续努力研发之下更加成熟。

湿及高盐碱的恶劣环境下都能正常运行。晶澳组件不久前还通过美国加利福尼亚菲蒙市的RETC实验室四级冰雹撞击测试。同时，晶澳采用自有掺镓专利技术硅片制作电池及组件，衰减大幅下降，组件长期LID（光致衰减

大幅度降低PERC结构电池的光衰，其光衰值由2.7%降低至0.6%左右，掺镓鑫单晶硅片在PERC电池中应用更具优势。 　　 当然，在N型电池片中，由于没有B-O复合体的存在，理论上不会产生

有优异的发电性能。晶澳采用自有掺镓专利技术硅片制作电池及组件，衰减大幅下降，组件长期LID(光致衰减)较常规掺硼组件下降50%以上。晶澳润秀(RIECIUM)多晶组件的优异抗PID性能已经通过了TUV

标准要求，晶澳常规光伏组件在承受10分钟以上气体火焰的直接燃烧后不但没有发生自燃，而且没被烧穿（Class A 防火测试标准允许组件烧穿）。此外，晶澳组件还具有优异的发电性能。晶澳采用自有掺镓专利技术
硅片制作电池及组件，衰减大幅下降，组件长期 LID（光致衰减）较常规掺硼组件下降50%以上。晶澳润秀 ( RIECIUM ) 多晶组件的优异抗PID性能已经通过了 TUV 南德500小时极限 PID

这一现象发生的主要原因是P型（掺硼）晶体硅片中的硼氧复合体降低了少子寿命。通过改变P型掺杂剂，用稼代替硼能有效的减小光致衰减；或者对电池片进行预光照处理，是电池的初始光致衰减发生在组件制造之前，光伏组件
光致衰减机理 P型（掺硼）晶体硅太阳电池的早期光致衰减现象是在30多年前观察到的，随后人们对此进行了大量的科学研究。特别是最近几年，科学研究发现它与硅片中的硼氧浓度有关，大家基本一致的看法是光照或