抗LeTID

运行，我们为该项目提供了拥有更佳抗LID、抗LeTID表现的Jaeger组件。由于优化设计，Jaeger组件可降低热斑效应，并减少阴影遮挡对组件发电带来的影响，且具有更低的系统和人力成本，可为马来西亚

具有高质量，致密无针孔的特性，可以有效阻挡氮化硅薄膜中的氢原子向电池内部的扩散，从而减少LeTID衰减。 江苏微导CTO黎微明博士指出，ALD钝化效果优异，量产性能稳定，并且在当前多种技术路线中生
组件在约60 ℃的工作环境下，能够比晶硅组件多输出15W的功率。 同时，稳定性较高，能够抗PID效应，无LID效应，首年衰减率降低50%，双面要比单面发电的电站多发10-20%电量。更薄、更轻的特性

提高能量输出。 该系列太阳能组件还符合基于公司Q.ANTUM技术的高质量标准，包括出众的抗LeTID(光和高温诱导衰减)，抗LID(光诱导衰减)及抗PID(电势诱导衰减) 性能，以及热斑保护和可追溯

， 尤其是采用微导专利的ALD镀膜技术，PERC电池在抗LeTID的性能上具有显著的提升作用。有意思的是，这个结果是和现有PERC电池采用PECVD背钝化工艺相比较下得到的。他们通过对下面的实验结果进行对比
得出结论，ALD和PECVD镀膜技术在降低LeTID衰减中的有着明显不同的表现。根据新南威尔士大学的分析，其原因在于ALD 三氧化二铝薄膜具有高质量，致密无针孔的特性，可以有效阻挡氮化硅薄膜中的

。 他指出，与现有的PECVD背钝化工艺相比，采用微导专利的ALD镀膜技术的PERC电池在抗LeTID方面具有更加优异的性能。ALD和PECVD镀膜技术在降低LeTID衰减中的有着明显不同的表现，根据黎微明

文 黄耕文认为目前情况下铸锭单晶的优势是显而易见的：一品质，含氧量低、LeTID衰减低，可以保证功率稳定输出;二兼容性，几乎可以叠加目前所有的主流技术，比如PERC、半片、叠瓦、黑硅等等都可以兼容
电站端硅片尺寸越大成本下降越明显，但是组件的大小尺寸和重量是有上限的，不可能无限大，过大的组件不仅安装成本高，机械荷载也存在很大的风险;二则从制造端考量，电池的的兼容情况、碎片包括产品的可靠性、组件的抗

Q.ANTUM组件的核心。具备Q.ANTUM技术的尖端科技和发电保障，包括出色的抗PID(电势诱导衰减)，抗LID(光诱导衰减)和抗LeTID(光照和高温诱导衰减)性能，热斑保护和质量追踪Tra.QTM激光

关键成分。 Q.ANTUM技术还提供基于其他功能的长期可靠性，包括抗LeTID(光和高温诱导衰减)，抗LID(光诱导衰减)和抗PID(电势诱导衰减)性能，以及热斑保护和可追溯的质量Tra.Q激光识别

Q.ANTUM技术的关键成分。 Q.ANTUM技术还提供基于其他功能的长期可靠性，包括抗LeTID(光和高温诱导衰减)，抗LID(光诱导衰减)和抗PID(电势诱导衰减)性能，以及热斑保护和可追溯的质量

更佳的抗LID、抗LeTID表现，以保证最低的度电成本。通过采用半片和多主栅组合技术，Jaeger组件功率已突破400Wp，Jaeger HP系列72版型组件光电转换效率打破世界纪录，并已通过第三方