干法清洗
高光时刻。
捷佳伟创总经理李时俊已在公司工作8年，见证了公司从成立之初的单一品种清洗类设备制造，到如今涉足整个产业链的发展历程。目前，捷佳伟创系国内领先的晶体硅太阳能电池生产设备制造商，主营
PECVD设备、扩散炉、制绒设备、刻蚀设备、清洗设备、自动化配套设备等太阳能电池片生产工艺流程中的主要设备的研发、制造和销售，为太阳能光伏电池生产企业提供高转换效率大产能整体解决方案。
在行业潮起潮落时
技术。背面抛光并不需要添加专门的工艺和设备。只需在清洗时改变用于蚀刻的化学试剂。在这个步骤中，可以加强化学试剂以达到理想的表面粗糙度。
蚀刻成都也取决于介质膜沉积的工艺。如ALD沉积膜的质量非常好
退火也可以抑制多晶PERC光衰。
黑硅的湿法刻蚀解决方案
在多晶黑硅+PERC电池技术上，目前主要有直接制绒、湿法黑硅(MACE)与干法黑硅三种方案。与目前的工业水平相比较，湿法黑硅方案具有较强的
工艺极其必要。 2硅片清洗技术 2.1清洗技术的分类和原理 常用的硅片清洗技术有湿法清洗和干法清洗。湿法清洗采用具有较强腐蚀性和氧化性的化学溶剂，如H2SO4、H2O2、DHF、NH3H2O等
。
最近去保利协鑫调研，听闻湿法黑硅技术降成本方面取得突破，预计2018年每张硅片成本增加0.1元即可完成湿法工艺。
干法黑硅技术同样也面临封装损失的问题，而且还面临成本过高的问题，部分厂家选择
干法黑硅路线，但是一直亏钱。由于看不到成本能获得突破的希望，未来这一技术路线将会淘汰。
过去几年，60片标准多晶组件的封装功率保持着每年5W的速率提升，但是由于2017年多晶硅片大规模应用金刚线切割
作业标准，实行机械化清扫、精细化保洁、地毯式吸尘、定时段清洗、全方位洒水的五位一体作业模式，从源头上防止道路扬尘。每年新增吸尘式道路保洁车辆不得低于新增保洁车辆的50%，逐步淘汰干扫式老旧设备
的正常使用，严禁露天装卸作业和物料干法作业。(各市政府负责)
(四)大力提升固定源监管水平。
21.全面实行排污许可管理。到2020年，完成所有列入原环境保护部《固定源排污许可分类管理名录
解决反射率过高的问题，所以明年多晶组件的出货的主要功率均为270~275W之间的产品，产能可以高达40GW以上。
2)湿法黑硅
干法黑硅技术路线储备很久，但是成本下不来(每片成本0.3元)，干法
是由于：
1)生产、运输、安装、清洗、降冰雹等过程中对组件施加的不均匀外力。
2)组件正面光伏玻璃和背面背板采用不同材质，温度系数不同，因此热胀冷缩的过程中对电池片正反面产生不同应力。
3
，所以明年多晶组件的出货的主要功率均为270~275W之间的产品，产能可以高达40GW以上。2)湿法黑硅干法黑硅技术路线储备很久，但是成本下不来(每片成本＞0.3元)，干法黑硅这一技术路线很可能面临淘汰的
存在于理论当中，现实中不会有厂家把一系列先进产能叠加于效果不佳的多晶硅片上。二、新技术可以减少隐裂产生隐裂之所以产生是由于：1)生产、运输、安装、清洗、降冰雹等过程中对组件施加的不均匀外力。2)组件正面
土地和水，对环保的要求也较高。根据美国现在光热电站的建设情况，每MW大概需要40-50亩土地，几乎是光伏电站的两倍，并且要求土地十分平坦。在用水方面，虽然光伏和光热都需要水对组件或镜面清洗，但光热电站
还需要额外的水用于冷却，耗水量约为2.9-3.2升/kwh，几乎是天然气发电的4倍。虽然现在也在开发干法冷却技术，比如，用空气冷却可以解决水的问题，但一方面是技术尚未成熟，另一方面可能降低发电量，并
检测测试仪器生产。重点引进全自动大面积等离子增强化学气相沉积（PECVD）、多槽制绒清洗设备、激光刻蚀机、干法刻蚀机、离子注入机、高精度丝网印刷机等晶硅电池片生产线设备，大面积TCO导电玻璃镀膜设备
光伏产品和检测测试仪器生产。重点引进全自动大面积等离子增强化学气相沉积(PECVD)、多槽制绒清洗设备、激光刻蚀机、干法刻蚀机、离子注入机、高精度丝网印刷机等晶硅电池片生产线设备，大面积TCO导电玻璃
