导电薄膜
HJT的主要生产工艺有制绒清洗、非晶硅薄膜沉积、TCO制备和丝网印刷四步，其中TCO制备是生产HJT电池的第三道核心工序，高质量的TCO薄膜能有效提升HJT电池的整体转换效率。目前TCO镀膜设备
定的量产。RPD5500A还结合新一代的靶材技术和工艺，载子迁移率已经超过150，带来更高的效率增益、更低的电子共振吸收、更好的长波透光率、更优的导电性，从而缓解HJT电池的低温银浆消耗量大的痛点
，高能离子较少，表现出低离子损伤的优良特性。同等条件下，RPD 技术制备的 TCO 薄膜结构更加致密、结晶度更高、表面更加光滑、导电性更高、光学透过率更好。此外，RPD 方法还具备低沉积温度、高速生长
，成为中国光伏装备第一股。
捷佳伟创系业内较早开始开发HJT整线设备的厂商。HJT电池制备的第三道核心工序是制作透明导电膜，行业内主要采用 PVD(磁控溅射)和 RPD(反应 等离子体沉积法)两种方式
了通常使用的热退火，这是一种对各种薄膜进行快速热加工的廉价的卷对卷技术。它通常用于烧结印刷电子产品中的银基、铜基或镍基电极，在光伏研究中，用于在硅晶片和金属复合基异质结结构上烧结铜基电极。
该小组
ISE的说法，强脉冲光(IPL)过程的辐射能量不仅被晶圆吸收，而且也被金属化本身吸收。金属触点吸收的这部分能量会导致手指电阻显著降低，同时报告指出，这种降低也会导致触点横向导电率的增加
宽度，增加栅线数量，可降低银耗;现在最低耗量128mg，功率比9BB高7-8W;尽可能利用铜线来导电。细栅线对定位要求很高，迈为采用机械+真空定位，设备对准精度达到0.05mm。
HJT战略第四步
)钙钛矿技术难以实现组件级别面积的均匀沉积，适合在硅片尺寸级别制备;5)钙钛矿薄膜组件采用ITO进行互联，叠层电池可采用铜焊带互联。
叠层电池目标：2021H1做小尺寸电池;2021H2做全硅片尺寸
生载流子并将其输送到金属电极上，导电性好、透过率高是 TCO 薄膜需要具 备的关键特性。在工艺方面，目前主要采用 PVD(磁控溅射)和 RPD(反应等离子体沉积法)两种方式，PVD 利用 经过加速
，国产化降本空间 相对有限。产能提升并非 PVD 设备向上优化的瓶颈，努力方向在于改善 TCO 薄膜透光性、均匀性、传导性等指标进而提升电池转换效率，未来靶材的创新 优化或助力进一步突破效率瓶颈
衰减测试方法 第2部分：薄膜组件
IEC 63163 消费品级地面光伏组件 设计鉴定和定型
IEC 60891 光伏器件 I-V实测特性的温度和辐照度修正方法
IEC 60904-5/AMD1
测试
加严热斑试验
BIPV项目组近期的动态
关于IEC TS 60904-1-2 双面组件的电流电压特性测量的报告
关于导电胶的测试方法提案的工作报告
组件标准
IEC 61215 系列
从Joule杂志了解到，美国能源部国家可再生能源实验室(NREL)科学家开发了一种全钙钛矿叠层太阳电池，称是迄今为止所有非III-V技术中效率最高的柔性薄膜太阳电池。
该结构基于一种称为Apex
Flex的新型宽带隙钙钛矿复合层，可以承受热、光和运行测试，同时提供可靠的高压。随着原子层沉积(ALD)的发展，这种新材料被描述为由具有亲核羟基和胺官能团的超薄聚合物组成的成核层，用于使共形的低导电
Tedlar PVF薄膜是唯一拥有30年以上户外实绩验证的组件背板材料;杜邦 Solamet 导电浆料在过去十年将电池转换效率提高25%的同时将耗量减少70%，并在过去八年推出120多项新产品
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非晶硅沉积设备：主要以进口设备为主，包括日本松下、梅耶博格、应用材料等，国内理想能源已开始VHFCVD的研制。
透明导电薄膜设备：日本住友垄断了RPD设备的专利以及对应的专属靶材IWO，捷佳伟创
，开始在硅片两侧沉积本征非晶硅薄膜，然后再沉积极性相反的掺杂非晶硅薄膜。再下一步，开始制备TCO薄膜，TCO的制备主要通过物理气相沉积(PVD)技术的溅射来完成。最后，在TCO顶部进行表面金属化
效率高、大尺寸化、工艺简单、低衰减、有增效等竞争优势。今年异质结电池应该可以达到24%的电池效率，未来一两年内有望达到25%的效率。
兼具薄膜电池和晶硅电池优点的HJT电池技术，初步量产后效率和成本
高昂的成本是目前HJT技术在推广中存在的最大制约。为改善这一问题，晋能科技目前已从导电银浆、ITO靶材、制绒添加剂等方面展开降本工作。同时，通过对非晶硅沉积、TCO沉积、金属化等技术进行突破性重塑设计
