导电薄膜

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新标速递:2021 IEC TC82 WG2 光伏组件零部件标准最新状态来源:TUV南德光伏检测认证 发布时间:2021-04-25 12:50:07

qualification and type approval - Part 2: Test procedures (2021-02-24) 光伏组件标准最新进展 IEC 61215 新的提案 薄膜组件降低
First Solar所说,大多数是同意成立工作组进行讨论。但是,根据目前的提议,晶硅没有降低,只是对薄膜降低载荷强度,并且根据不同的区域和安装条件进行区分。对此,会议上不少晶硅厂商表达了反对意见,认为晶硅

光速来袭!全面解读!鉴衡认证为您带来IEC TC82 WG2 2021年春季会议一手信息!来源:鉴衡认证 发布时间:2021-04-24 08:32:23

62759-1 ED2光伏(PV)组件 运输测试 第1部分:组件包装单元的运输 IEC TS 62804-2 光伏(PV)组件电位诱导衰减的测试方法 第2部分:薄膜 IEC TS 62915 ED2
/AMD1修正案光伏组件材料的测试程序 第2部分 聚合物材料-前面板和背面板 IEC TS 62788-8-1 晶体硅光伏组件中使用的导电胶(ECA)的测量 第1 部分材料性能测量的准备工序 IEC TS

“大国重器”系列:HJT时代离我们还有多远?来源:中金点睛 发布时间:2021-04-23 11:04:13

背面则依次沉积本征非晶硅薄膜和N型非晶硅薄膜形成背表面场。而由于非晶硅的导电性比较差,因此在电池两侧沉积透明导电薄膜(TCO)来进行导电,最后采用丝网印刷技术形成双面电极。 ►HJT电池实现高转化效率

异质结量产最新突破!爱康湖州平均转化效率达24.2%!来源:光伏新闻 发布时间:2021-04-12 10:32:33

重大突破,其中PECVD工序在一定条件下电池核心性能少子寿命平均突破3.5ms(毫秒),从而导致TCO导电薄膜稳定在100c㎡/vs以上,极大的提高了异质结电池转化效率。 湖州基地作为

平均转化效率达24.2%,爱康湖州基地异质结电池量产获新突破来源:苏大光伏校友会 发布时间:2021-04-08 07:27:43

重大突破,其中PECVD工序在一定条件下电池核心性能少子寿命平均突破3.5ms,从而导致TCO导电薄膜稳定在100c㎡/vs以上,极大的提高了异质结电池转化效率。 湖州基地作为爱康重大战略项目之一

特大喜讯!湖州长兴基地转入批量生产阶段,且转化效率不断攀升,平均转化效率达24.2%来源:索比光伏网 发布时间:2021-04-03 12:49:46

重大突破,其中PECVD工序在一定条件下电池核心性能少子寿命平均突破3.5ms(毫秒),从而导致TCO导电薄膜稳定在100c㎡/vs以上,极大的提高了异质结电池转化效率。 湖州基地作为爱康重大

PERC、HIT、TOPCon等高效电池量产工艺比较及经济性分析来源:未来智库,全球光伏整理 发布时间:2021-03-18 08:41:32

5-10nm 的本征和掺杂的非晶硅薄膜,以及透明导电氧化物 (Transparent Conductive Oxide,TCO) 薄膜,从上到下依次形成了 TCO-N-i-N-i-P-TCO 的对称

“碳中和”目标下,未来十年光伏产业的使命与担当来源:索比光伏网 发布时间:2021-03-04 15:59:38

晶体硅电池结构设计的考虑要素有PN结设计、表面增效措施、电流的导出方式。此外,电池转换效率受制于很多因素,为了尽可能地利用太阳光和降低光生载流子的损失,各种工艺、技术应运而生:表面制绒、表面氯化硅薄膜减反射
、正表面氮化硅薄膜钝化、铝背场、钝化发射极和背面电池技术、量子隧穿氧化层钝化接触等。 目前行业中占绝对主流的电池以P型电池为主,其主要特征是电池的正负电极分别位于电池的不同面(正面或背面)。MWT背

40GW!捷佳伟创将新增光伏电池设备产能来源:世纪新能源网 发布时间:2021-02-25 17:21:04

薄膜CVD设备产业化项目,拟投资金额99,877.18万元,主要建设内容包括生产场地建设、生产设备购置安装和软件购置,并经过产业化验证后,形成新型电池湿法设备及单层载板式非晶半导体薄膜CVD设备生产基地
。 该项目计划建设期为2年,完全达产后每年新增20GW PERC+高效新型电池湿法设备,新增20GW HJT超高效新型电池的湿法设备以及单层载板式非晶半导体薄膜CVD。 另外,捷佳伟创拟投资

捷佳伟创拟新增年产40GW电池设备+50套HJT镀膜设备产能来源:苏大光伏校友会 发布时间:2021-02-24 08:39:35

PERC+高效新型电池湿法设备,新增20GW HJT超高效新型电池的湿法设备以及单层载板式非晶半导体薄膜CVD。 此外,公司拟投资33,438.34万元,拟在深圳市坪山区新建二合一透明导电膜设备
半导体薄膜CVD设备产业化项目),主要建设内容包括生产场地建设、生产设备购置安装和软件购置,形成新型电池湿法设备及单层载板式非晶半导体薄膜CVD设备生产基地。该项目建设期为2年,达产后每年新增20GW