,使得硅片制绒加工成本降低40%以上,达2-3分/瓦;同时,具备更高反射率的背表面,为背钝化技术的实施提供可靠的材料基础,大大降低多晶PERC工艺的背抛光成本。
据介绍,TS+系列硅片由于性价比的显著
、也会因常规酸制绒得到的高反射率而降低转换效率,故须再多加一道表面蚀刻的制程处理,业界普遍称之为黑硅技术。应用黑硅技术还能形成亚微米级的凹坑,提升入射光的捕捉,故在硅晶圆端降本、电池片端提效两方面都
绒加工成本降低40%以上,达2-3分/瓦;同时,具备更高反射率的背表面,为背钝化技术的实施提供可靠的材料基础,大大降低多晶PERC工艺的背抛光成本。据介绍,TS+系列硅片由于性价比的显著提升,使其具备
PERC组件量产功率超285W满足领跑者新标准据了解,金刚线多晶是多晶必要的路径之一,但过于光亮的硅晶圆片会让电池片外观产生线痕问题、也会因常规酸制绒得到的高反射率而降低转换效率,故须再多加一道表面
分布电站最容易失效的材料。而经过大量户外检测,在高湿、高温等环境的考验之下,劣质的背板材料存在着极大的失效风险。即使在紧贴屋面的组件安装条件下,屋面的高反射率也会导致背板材料在高温下加速老化失效。因此
失效比例最高的情况不同,背板是屋顶分布电站最容易失效的材料。而经过大量户外检测,在高湿、高温等环境的考验之下,劣质的背板材料存在着极大的失效风险。即使在紧贴屋面的组件安装条件下,屋面的高反射率也会导致
电池几乎无法利用由背面射入电池的光线,在电池背面反射率不为零的情况下,双面电池比单面电池具有更高的发电效率。 n-PERT双面电池相对于单面电池的效率增益难以通过单片电池来衡量,一般将多片太阳能电池
首要影响因素,光资源的优劣决定了电站的发电多少,影响光资源的好坏的因素较多,如天文因子(太阳常数,日地距离,太阳赤纬,太阳高度角,太阳方位角,时角)、地理因子(纬度,经度,海拔高度,地表反射率)、气象
紫外光300nm-380nm的耐紫外强度有一定抵抗能力,但是部分背板在紫外光的照射下还是会发生黄变,导致背板层的分子组成部分被破坏,背板的整体性能下降,同时背板的反射率降低,影响组件的整体输出。含氟
),厚度3.2mm,在太阳电池光谱响应的波长范围内(320-1100nm)透光率达91%以上,对于大于1200 nm的红外光有较高的反射率。此玻璃同时能耐太阳紫外光线的辐射,透光率不下降。 3)EVA
解决反射率过高的问题,所以明年多晶组件的出货的主要功率均为270~275W之间的产品,产能可以高达40GW以上。 2)湿法黑硅 干法黑硅技术路线储备很久,但是成本下不来(每片成本0.3元),干法
285W,功率差为15W;当各自叠加一系列新技术以后,功率差会进一步拉大。2018年各种技术路线的组件功率分布如表1所示。1)添加剂黑硅当前多晶应用金刚片以后,主要采用添加剂技术来解决反射率过高的问题